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          功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

          • / 前言 /功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。為什么引入結(jié)構(gòu)函數(shù)?在功率器件的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章 《功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法》 和 《功率半導(dǎo)體芯片溫度和測(cè)試方法》 分別講了功率半導(dǎo)體結(jié)溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測(cè)試方法,用的
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          結(jié)構(gòu)函數(shù)介紹

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