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負(fù)載電容
負(fù)載電容 文章 進(jìn)入負(fù)載電容技術(shù)社區(qū)
【E問(wèn)E答】晶振的老搭檔負(fù)載電容要怎么搭配才好呢？
- 晶振的老搭檔負(fù)載電容分為C1和C2兩個(gè)貼片電容，負(fù)載電容的作用就是消減其他雜波所帶來(lái)的干擾，從而提高電路的穩(wěn)定性。大家在選擇負(fù)載電容時(shí)，可以按照電容的具體大小計(jì)算公式是(C1*C2)/(C1+C2)+6.24。這個(gè)計(jì)算公式只是一種方法知道電容的大小，但是最好按照晶振廠家所配對(duì)好的負(fù)載電容值，這樣會(huì)減少很多其他干擾。 晶振都有各自的特性，還是要結(jié)合實(shí)現(xiàn)來(lái)判斷電容的大小值。在兩者內(nèi)，C1和C2值越低越好。最好C2值大于C1值，C2值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，比較常用的取值是15p-30p之間。
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負(fù)載電容就竟有多重要？看完本文你就明白了
- why care負(fù)載電容 負(fù)載電容(load capacitance)常用的標(biāo)準(zhǔn)值有12.5 pF，16 pF，20 pF，30pF，負(fù)載電容與石英諧振器一起決定振蕩器的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容，一般可以將振蕩器的工作頻率調(diào)到標(biāo)稱(chēng)值?！ ∝?fù)載電容和諧振頻率之間的關(guān)系不是線(xiàn)性的，負(fù)載電容變小時(shí)，頻率偏差量變大;負(fù)載電容提高時(shí)，頻率偏差減小。下圖是一個(gè)晶體的負(fù)載電容和頻率的誤差的關(guān)系圖。 圖1、晶振誤差—負(fù)
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負(fù)載電容介紹
負(fù)載電容 - 定義
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線(xiàn)連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正 [ 查看詳細(xì) ]
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