超結(jié)結(jié)構(gòu) 文章 進(jìn)入超結(jié)結(jié)構(gòu)技術(shù)社區(qū)
超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET輸出電容特性
- 本文主要分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場(chǎng)過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關(guān)系，最后討論了新一代超結(jié)技術(shù)工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉(zhuǎn)折點(diǎn)電壓，降低開關(guān)損耗，同時(shí)產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對(duì)系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
- 關(guān)鍵字： 202008 功率 MOSFET 超結(jié)結(jié)構(gòu) 輸出電容 橫向電場(chǎng)
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超結(jié)結(jié)構(gòu)介紹
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