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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 金鍵合

          對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

          • 摘要:由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價格又便宜,正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
          • 關(guān)鍵字: 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  
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          金鍵合介紹

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