閃存技術(shù) 文章進(jìn)入閃存技術(shù)技術(shù)社區(qū)

7x24h自動(dòng)化工廠應(yīng)用：研華SQFlash sTLC超高耐久性固態(tài)硬盤

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和檢索在自動(dòng)化生產(chǎn)環(huán)境中至關(guān)重要。來自傳感器和其他設(shè)備的數(shù)據(jù)用于控制制造流程和確保產(chǎn)品質(zhì)量。SQFlash sTLC閃存技術(shù)可提供可靠的SLC級(jí)耐用性和高速度，讓全天候自動(dòng)化機(jī)器能夠?qū)崟r(shí)存儲(chǔ)和處理數(shù)據(jù)，從而確保出色性能并防止停機(jī)。項(xiàng)目要求在現(xiàn)代制造環(huán)境中，工廠自動(dòng)化在保持效率和生產(chǎn)力方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。自動(dòng)化機(jī)器和系統(tǒng)在7x24小時(shí)環(huán)境下生產(chǎn)產(chǎn)品和提供服務(wù)。這些系統(tǒng)依賴大量數(shù)據(jù)，包括傳感器數(shù)據(jù)、機(jī)器數(shù)據(jù)和生產(chǎn)數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)需要實(shí)時(shí)存儲(chǔ)和處理，以確保出色性能并防止停機(jī)。研華解決方案數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和檢
關(guān)鍵字： SQFlash 閃存技術(shù) 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

閃存最明顯特點(diǎn)就是穩(wěn)定性能，低時(shí)延和高隨機(jī)IOPS。對(duì)于閃存，在評(píng)估性能時(shí)，我們一般主要關(guān)注90% IO落入規(guī)定的時(shí)延范圍(性能是一個(gè)線性范圍，而不是
關(guān)鍵字：閃存技術(shù) 架構(gòu) 接口可靠性

前言閃存是手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字電視和機(jī)頂盒或發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊等數(shù)字應(yīng)用中一種十分常見的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，這...
關(guān)鍵字： ST 閃存技術(shù) NOR閃存 NAND閃存

作為EPROM（可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）和EEPROM（電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器）兩種存儲(chǔ)器的折衷，閃存是20世紀(jì)80年代問...
關(guān)鍵字：閃存技術(shù) EPROM 非易失性

　　據(jù)日本媒體報(bào)道，日本半導(dǎo)體廠商Renesas瑞薩科技與臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體已經(jīng)決定終結(jié)雙方合資的閃存研發(fā)合資企業(yè)。瑞薩計(jì)劃把股權(quán)、設(shè)計(jì)資產(chǎn)及債權(quán)債務(wù)轉(zhuǎn)讓給力晶，并于今日正式解散雙方在日本的合資公司。　　力晶最早于2006年在日本成立設(shè)計(jì)制造公司“Vantel”，2007年瑞薩參股Vantel，使該公司成為雙方的合資企業(yè)，瑞薩和力晶持股比例分別為65%和35%。報(bào)道稱，由于Vantel的階段性研發(fā)任務(wù)已經(jīng)達(dá)成，再加上全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)后設(shè)計(jì)業(yè)務(wù)訂單減少造成Vantel難以為繼，因此雙方?jīng)Q
關(guān)鍵字： Renesas 閃存技術(shù)

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