閃存芯片 文章 進(jìn)入閃存芯片技術(shù)社區(qū)
鎧俠出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片：連讀寫入速率提升 15%、封裝面積減小 18%
- IT之家 4 月 23 日消息，鎧俠今日宣布出樣最新一代 UFS 4.0 閃存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可選，專為包括高端智能手機(jī)在內(nèi)的下一代移動(dòng)應(yīng)用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封裝尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
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西部數(shù)據(jù)NAND Flash業(yè)務(wù)拆分最新進(jìn)展，新任CEO揭曉
- 月5日，西部數(shù)據(jù)宣布，在NAND Flash業(yè)務(wù)拆分后，將保留原名，專注經(jīng)營(yíng)核心HDD業(yè)務(wù)，并表示這一分拆過程有望在2024年下半年完成。與此同時(shí)，將為即將分拆的閃存和傳統(tǒng)硬盤業(yè)務(wù)任命CEO。西部數(shù)據(jù)稱，現(xiàn)任西部數(shù)據(jù)全球運(yùn)營(yíng)執(zhí)行副總裁 Irving Tan 將出任剩下的獨(dú)立 HDD公司的CEO，繼續(xù)以西部數(shù)據(jù)的身份運(yùn)營(yíng)。現(xiàn)任CEO David Goeckeler則受命轉(zhuǎn)往NAND Flash部門成立的新公司，出任新公司執(zhí)行長(zhǎng)。圖片來源：西部數(shù)據(jù)西部數(shù)據(jù)與鎧俠合并進(jìn)展如何？據(jù)悉，自2021年以來，西部數(shù)據(jù)及
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6.5EB的閃存芯片被污染，漲價(jià)已成為事實(shí)
- 根西數(shù)和鎧俠的報(bào)告，這兩家工廠可能會(huì)造成多達(dá)16EB的閃存被浪費(fèi)，影響到本季度閃存市場(chǎng)10%的份額。不光近期準(zhǔn)備發(fā)布新品的蘋果公司收到了影響，原本芯片就很緊缺，加上現(xiàn)在又出現(xiàn)閃存污染的問題，對(duì)于那些依賴西部數(shù)據(jù)和鎧俠閃存的廠商來說，更是巨大的打擊，就包括了微軟、索尼、谷歌等知名廠商。加上相關(guān)事件引發(fā)市場(chǎng)恐慌，已有消息稱群聯(lián)第一時(shí)間調(diào)漲模組報(bào)價(jià)15%，其它廠商則暫停報(bào)價(jià)。然而在這方面，也并不全是壞消息，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星、海力士和美光這幾個(gè)巨頭，會(huì)從此類事件受益。其中SK海力士和美光的股價(jià)，在盤后交易中應(yīng)聲上漲了
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2022年裝機(jī)要趁早：閃存芯片即將迎來漲價(jià)
- 日前鎧俠及西數(shù)位于日本的NAND閃存工廠爆發(fā)污染事故，導(dǎo)致6.5EB容量的閃存芯片受到影響，這一黑天鵝事件給全球閃存行業(yè)帶來了不確定性，原本價(jià)格還在下滑，但是最新預(yù)測(cè)稱Q2季度閃存價(jià)格將會(huì)轉(zhuǎn)向上漲5-10%。來自集邦科技的分析認(rèn)為，原本NAND閃存全年都有微幅的供過于求壓力，今年上半年價(jià)格都有下滑壓力，但是現(xiàn)在的情況變了，1月份三星位于西安的工廠受到疫情影響，2月份這又曝出鎧俠、西數(shù)閃存芯片受污染的事故。集邦科技認(rèn)為在當(dāng)前的情況下，Q1季度閃存芯片價(jià)格跌幅會(huì)收窄到5-10%，而Q2季度價(jià)格則會(huì)反轉(zhuǎn)，變成漲
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三星西安量產(chǎn)高端閃存芯片
- 一期投資70億美元的三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司9日舉行竣工典禮，標(biāo)志其世界領(lǐng)先的高端閃存芯片正式量產(chǎn)，西安也有望成為全球電子信息技術(shù)領(lǐng)先的生產(chǎn)研發(fā)基地。陜西省委書記趙正永、省長(zhǎng)婁勤儉，國(guó)家工業(yè)和信息化部部長(zhǎng)苗圩、韓國(guó)駐中國(guó)大使權(quán)寧世，三星電子首席執(zhí)行官權(quán)五鉉等出席了竣工典禮。 三星(中國(guó))半導(dǎo)體2012年9月開工，被稱為中國(guó)改革開放以來單筆投資最大的外商投資高科技項(xiàng)目，也是三星迄今為止最大的一筆海外投資。整個(gè)項(xiàng)目園區(qū)占地約114萬平方米，總建筑面積約23萬平方米，將生產(chǎn)目前最先進(jìn)的10納米級(jí)NA
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三星項(xiàng)目擬明年上半年正式投產(chǎn)
- 6月29日至30日，韓國(guó)總統(tǒng)樸槿惠在國(guó)事訪問期間到訪西安，并蒞臨三星項(xiàng)目工地視察。日前，三星(中國(guó))半導(dǎo)體有限公司在接受本報(bào)記者獨(dú)家專訪時(shí)表示，樸槿惠總統(tǒng)的蒞臨令三星集團(tuán)以及西安項(xiàng)目建設(shè)團(tuán)隊(duì)備受鼓舞，三星將做好本職工作,生產(chǎn)出最先進(jìn)的產(chǎn)品,為陜西和西安的經(jīng)濟(jì)發(fā)展作出貢獻(xiàn),回報(bào)關(guān)心和支持三星項(xiàng)目的陜西和西安人民。 總統(tǒng)提出殷切期望 樸槿惠總統(tǒng)是歷史上首次訪問西安的韓國(guó)總統(tǒng)?！皹汩然菘偨y(tǒng)視察三星項(xiàng)目后表示，希望三星西安項(xiàng)目的成功建設(shè)能夠促進(jìn)中國(guó)西部大開發(fā)戰(zhàn)略發(fā)展，并將中國(guó)和韓國(guó)推向
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64GB NAND閃存芯片需求保持強(qiáng)勁
- 根據(jù)行業(yè)觀察家表示，受智能手機(jī)和平板電腦強(qiáng)勁需求推動(dòng)，64GB NAND閃存市場(chǎng)一直在增長(zhǎng)，高密度芯片價(jià)格高居不下，反映當(dāng)前供不應(yīng)求市場(chǎng)狀況。 智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)對(duì)NAND芯片需求旺盛，也對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)上的芯片供應(yīng)帶來了負(fù)面的影響，即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應(yīng)系統(tǒng)制造商表示，許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。 供應(yīng)緊張狀況，鼓勵(lì)芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤(rùn)的訂單，比如為智能手機(jī)提供容量高達(dá)64GB的NAND閃存芯片，并且獲利高于功能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。 有消息表示，目
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東芝上一財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)下降14%至26億美元
- 據(jù)路透社報(bào)道，東芝表示，受日元走強(qiáng)和歐債危機(jī)導(dǎo)致的需求量下滑等因素影響，其上一財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)下降14%。 東芝周二表示，截止3月31日，其年度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)下降至2066.5億日元(約合26億美元)。這一數(shù)據(jù)比湯森路透I/B/E/S對(duì)22位分析師調(diào)查得到的2087億日元的結(jié)果略小。 東芝稱，市場(chǎng)對(duì)于電視機(jī)和個(gè)人電腦的需求量仍然萎靡，但蘋果對(duì)其生產(chǎn)的閃存芯片的需求在持續(xù)上升。 東芝預(yù)測(cè)，由于蘋果iPhone和iPad的暢銷，其營(yíng)業(yè)利潤(rùn)在本財(cái)年將上升45%，達(dá)到3000億日元。 湯森路透I
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Spansion開始批量生產(chǎn)最高密度單芯片512 Mb串行閃存
- 行業(yè)領(lǐng)先的并行和串行NOR閃存芯片供應(yīng)商Spansion公司(紐約證交所代碼：CODE)，日前宣布已經(jīng)開始批量生產(chǎn)512 Mb Spansion? FL-S串行(SPI) NOR閃存，該芯片是業(yè)界單顆裸片最高容量的串行閃存方案。Spansion FL-S系列產(chǎn)品容量涵蓋128Mb至1Gb，具有比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品快三倍的業(yè)界領(lǐng)先編程速度和快20%的雙倍數(shù)據(jù)讀取速率(DDR)。速度的提升在諸多的嵌入式應(yīng)用中極大地提高了用戶體驗(yàn)，例如汽車組合儀表盤和信息娛樂系統(tǒng)、工業(yè)和醫(yī)療圖形顯示以及家用網(wǎng)關(guān)和機(jī)頂盒。
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三星閃存芯片項(xiàng)目選址西安 一期投資70億美元
- 新華網(wǎng)西安3月22日電(記者陳鋼 姜辰蓉)記者22日從西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)獲悉，韓國(guó)三星電子公司當(dāng)日宣布，其擬在中國(guó)大陸建設(shè)的閃存芯片項(xiàng)目已經(jīng)選址西安市。 陜西省、西安市相關(guān)方面與三星電子公司22日在西安進(jìn)行的工作會(huì)談中，三星電子常務(wù)金秀峰表示，三星電子考慮在西安建設(shè)的存儲(chǔ)器研發(fā)和生產(chǎn)工廠，將采用世界最領(lǐng)先的技術(shù)，第一步投資70億美元，計(jì)劃2013年底投產(chǎn)。 西安是我國(guó)重要的新一代信息技術(shù)生產(chǎn)和研發(fā)基地，三星電子閃存芯片項(xiàng)目計(jì)劃在西安南郊的國(guó)家級(jí)西安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)建設(shè)。 據(jù)介紹
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東芝聯(lián)手SanDisk開發(fā)全球最小128Gb閃存芯片
- 東芝周四表示，該公司已經(jīng)與閃存技術(shù)開發(fā)商SanDisk共同研發(fā)出全球最小的128Gbit(16GB)NAND閃存芯片。 該閃存芯片采用19nm新工藝，大小為170平方毫米，比一枚普通硬幣還小。 該閃存芯片運(yùn)用3-bit-per-cell存儲(chǔ)技術(shù)。該存儲(chǔ)技術(shù)雖然比2-bits-per-cell存儲(chǔ)技術(shù)更為高效，但存在穩(wěn)定性不強(qiáng)的問題。這也意味著該閃存芯片將首先用于記憶棒和記憶卡。 據(jù)悉，作為蘋果等公司主要供應(yīng)商的東芝將于本月開始生產(chǎn)這種閃存芯片。 隨著芯片生產(chǎn)商爭(zhēng)相追逐更小的芯片
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三星在華建閃存芯片工廠計(jì)劃獲批 6個(gè)月內(nèi)動(dòng)工
- 三星電子公司(SamsungElectronicsCo)擬在中國(guó)大陸投資建閃存芯片廠的計(jì)劃已經(jīng)得到韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批準(zhǔn)，最快有望在未來六個(gè)月內(nèi)動(dòng)工開建。在中國(guó)大陸建閃存芯片廠將加強(qiáng)三星公司在中國(guó)電子市場(chǎng)上的地位，預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)中國(guó)將超過美國(guó)成為全球最大的消費(fèi)電子市場(chǎng)。 閃存芯片是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機(jī)和平板電腦中。三星公司計(jì)劃在中國(guó)生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤和大容量數(shù)碼存儲(chǔ)卡。韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部在周三
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三星在華建閃存芯片工廠計(jì)劃獲批 6個(gè)月內(nèi)動(dòng)工
- 1月4日道瓊斯報(bào)道說，三星電子公司(Samsung Electronics Co)擬在中國(guó)大陸投資建閃存芯片廠的計(jì)劃已經(jīng)得到韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部(Ministry of Knowledge Economy )的批準(zhǔn)，最快有望在未來六個(gè)月內(nèi)動(dòng)工開建。在中國(guó)大陸建閃存芯片廠將加強(qiáng)三星公司在中國(guó)電子市場(chǎng)上的地位，預(yù)計(jì)未來幾年內(nèi)中國(guó)將超過美國(guó)成為全球最大的消費(fèi)電子市場(chǎng)。 閃存芯片是一種移動(dòng)存儲(chǔ)產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于音樂播放器、智能手機(jī)和平板電腦中。三星公司計(jì)劃在中國(guó)生產(chǎn)的是NAND型閃存芯片，主要用于固態(tài)硬盤和大容
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三星計(jì)劃在中國(guó)設(shè)閃存芯片廠 或耗資40億美元
- 三星電子今日宣稱，由于智能手機(jī)和平板電腦的熱銷將會(huì)繼續(xù)推動(dòng)芯片行業(yè)的發(fā)展，該公司計(jì)劃在中國(guó)設(shè)立一家閃存芯片生產(chǎn)廠。韓國(guó)分析師估計(jì)，三星可能會(huì)投資40億美元左右來興建該廠。這個(gè)生產(chǎn)廠，如果獲得批準(zhǔn)，將是三星在國(guó)際上設(shè)立的第二個(gè)芯片生產(chǎn)廠，這也反映出中國(guó)市場(chǎng)已變得越來越重要了。作為全球頂級(jí)內(nèi)存芯片和平面顯示屏生產(chǎn)商，三星還計(jì)劃在中國(guó)設(shè)立一個(gè)平面顯示屏生產(chǎn)基地。 目前，三星在國(guó)際上設(shè)立的唯一一個(gè)芯片生產(chǎn)廠位于美國(guó)德克薩斯州奧斯丁市。 這個(gè)新的生產(chǎn)線“將使我們能夠滿足消費(fèi)者日益增長(zhǎng)的需
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出貨不如預(yù)期 閃存芯片價(jià)格小幅下跌
- 受到諸多全球總體經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇的不確定變數(shù)干擾，2011部份的NAND Flash終端應(yīng)用產(chǎn)品出貨量將不如預(yù)期，及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應(yīng)遞延等因素的綜合影響下，8月上旬NANDFlash芯片市場(chǎng)買氣依然疲弱，但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對(duì)于記憶卡及UFD通路市場(chǎng)需求仍相對(duì)地穩(wěn)定，因此，MLCNAND Flash芯片合約均價(jià)小跌約1-2%，而TLCNAND Flash芯片合約均價(jià)則下跌約4-7%。
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