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霍爾器件文章進入霍爾器件技術(shù)社區(qū)

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霍爾器件介紹

霍爾器件　　Hall element 　　利用霍爾效應的固態(tài)電子器件。E.H.霍爾于1879年發(fā)現(xiàn)：一塊矩形導體或半導體材料在磁感應強度為Bz的磁場中,在垂直于磁場的方向有電流Ix通過試件（圖1），在既垂直于磁場Bz、又垂直于電流Ix的方向?qū)a(chǎn)生電場Ey,這就是霍爾效應。這個電場在電極3和4之間產(chǎn)生電動勢UH，稱為霍爾電動勢　　UH＝-RHBzIx/d 　　式中Ix為從電極1到電極2的 [ 查看詳細 ]

霍爾器件專欄文章

量子霍爾效應

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