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	非易失性鐵電存儲器
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件
          
                                                            
            
                    	
          • 　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝，具有快速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、無乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、
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          • 關(guān)鍵字：
                        Ramtron  F-RAM  FM28V020  非易失性鐵電存儲器                          
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	共1條
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          非易失性鐵電存儲器介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	鐵電存儲器（FRAM）產(chǎn)品將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度，像工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口，工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的封裝類型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。

目錄

    簡介
    FRAM技術(shù)
    鐵電應(yīng)用

       1. 數(shù)據(jù)采集與記錄
 		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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