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          Kinam Kim 博士:硅技術將向10nm發(fā)展

          •   韓國三星先進技術研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國國際半導體技術大會(CSTIC2012)帶來主題為“探索硅技術的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。   Kim博士表示,閃存技術是否會主導未來的存儲市場,2012到2015年集成光電路等技術將取得進展,硅技術將向10nm發(fā)展,并同時推動DRAM、NAND閃存等產業(yè)的發(fā)展。   Kim在演講中指出,在DRAM和NAND閃存等方面, Ki
          • 關鍵字: 三星  10nm  

          SanDisk聯(lián)手東芝進軍10nm級別閃存工藝

          •   2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別,2011年則將成為20nm級別普及的開端,同時10nm級別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。   SanDisk近日就表示:“2011年我們的首要營業(yè)費用投資就是研發(fā),包括Fab 5晶圓廠上線投產,以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資。”   
          • 關鍵字: SanDisk  10nm  閃存  

          硅CMOS技術可擴展到10nm以下

          •   “硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝,硅CMOS技術將繼續(xù)保持其主導地位”。   
          • 關鍵字: CMOS  10nm  
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