20納米 文章 進入20納米技術(shù)社區(qū)
20納米制程難轉(zhuǎn)換 DRAM次級品流竄市場
- DRAM芯片轉(zhuǎn)進20納米制程難度高，市場供需失衡蔓延到各個應用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進入20納米制程世代后，進入門檻非常高。一方面是設(shè)備投資變大，需求的機臺設(shè)備多很多，甚至讓DRAM廠加蓋無塵室來放擺放機臺設(shè)備，否則導致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個高門檻就是生產(chǎn)難度大增，DRAM市場價格無法反彈，這些次級品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。 市場終端需求不好，蘋果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲器容量從1G升級到2G，其他新機容量甚至提升到4
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SK海力士今年成長三大核心 20納米、M14新廠、3D NAND
- 面對競爭激烈的半導體市場，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續(xù)成長，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構(gòu)利川M14新廠的量產(chǎn)系統(tǒng)，以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。 根據(jù)韓媒E-Daily報導，SK海力士社長樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會上表示，2015年下半初期將開始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會開始量產(chǎn)22納米DRAM。 SK海力士近2年業(yè)績屢創(chuàng)新高，主力產(chǎn)
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重 4GB DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠轉(zhuǎn)進20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應用的時間點，會遞延至2016年第1季，象征4GbDDR4成為主流的時間點也會延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進速度一切都如預期，年底會有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進20納米制程，資本支出不會改變。 日前傳出韓系存儲器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PCOEM客戶認證，導致部分貨源流入現(xiàn)貨市場，這也代表進入先進制程技術(shù)后，產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升，未來20納米制程世代的問題更嚴重，轉(zhuǎn)進20納米制程
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20納米轉(zhuǎn)換困難重重 4Gb DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠轉(zhuǎn)進20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應用的時間點，會遞延至2016年第1季，象征4Gb DDR4成為主流的時間點也會延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉(zhuǎn)進速度一切都如預期，年底會有8萬片的12吋晶圓轉(zhuǎn)進20納米制程，資本支出不會改變。 日前傳出韓系存儲器廠25納米制程的產(chǎn)品未過PC OEM客戶認證，導致部分貨源流入現(xiàn)貨市場，這也代表進入先進制程技術(shù)后，產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升，未來20納米制程世代的問題更嚴重，轉(zhuǎn)進20納米
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三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉(zhuǎn)換制程，2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中，將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術(shù)，在伺服器和高階移動裝置用次世代DRAM市場上拉開與其他競爭對手的差距，維持市場獨大地位。 據(jù)韓國首爾經(jīng)濟報導，三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange近期資料指出，三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示，目前20納米
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臺積電運勢漲不停 吃蘋果擁高通齊步跟進聯(lián)發(fā)科
- 蘋果iPhone6將于美東時間9日正式發(fā)表，市場預期將熱賣，臺積電首度承接蘋果新一代處理器代工訂單，同步沾光。法人估，臺積電8月營收將再創(chuàng)新高，9月持續(xù)看升，成為中秋節(jié)后帶領(lǐng)半導體族群上攻的領(lǐng)頭羊。 臺積電7月合并營收已陸續(xù)反映蘋果新機拉貨熱潮，沖上649.25億元，創(chuàng)歷史新高。法人估，以臺積電先前法說會釋出本季合并營收可望挑戰(zhàn)2,090億元估算，8月合并營收將正式站上700億元，9月有機會達720億元，寫下營運新里程碑。 法人指出，臺積電本季除受惠蘋果新處理器正式出貨之外，蘋果新
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三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3
- 作為尖端半導體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術(shù)限制，開創(chuàng)了內(nèi)存存儲器制造技術(shù)的新紀元。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構(gòu)成，而DRAM則由一個電容器和一個晶體管串聯(lián)構(gòu)成，因此后者更難實現(xiàn)制程技術(shù)的微細化。然而，三星電子通過對芯片設(shè)計和制程技術(shù)的改良，創(chuàng)新性地研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(shù)(Modified Dou
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