臺媒：臺積電2nm制程研發(fā)取得突破 將切入GAA技術

• 【TechWeb】7月13日消息，據(jù)臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發(fā)的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠
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