4納米 文章 進入4納米技術(shù)社區(qū)
中國大陸4納米手機芯片快來了？
- 中國大陸積極扶植國內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展，據(jù)報道兩家中國大陸大廠包括紫光展銳、小米的4納米手機芯片都流片成功，代表離陸產(chǎn)4納米芯片不遠了。紫光展銳和小米都采用國外IP核心ARM、IMG打造國產(chǎn)芯片，預(yù)計這2款芯片進行規(guī)?；瘧?yīng)用后，有機會突破高通和聯(lián)發(fā)科在手機芯片壟斷的局面?？萍疾┲鳌付ń箶?shù)字」表示，紫光展銳4納米芯片已Tape Out（送交制造），這款芯片采用X1大核、A78中核、A55小核，GPU采用Mali G715 MC7，性能達到高通驍龍888的水平。另一博主「Oneline科技」透露，小米自研芯片成果已
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臺積電準備迎接“Angstrom 14 時代”啟動尖端1.4納米工藝研發(fā)
- 幾個月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進入了"Angstrom 14 時代"，開始開發(fā)其最先進的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進入市場之前還有很長的路要走，很可能會在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會在未來五年甚至更長的時間內(nèi)出現(xiàn)。著
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先進制程競爭升級，三星臺積電4納米正面交鋒
- 據(jù)韓媒Business Korea報道，三星電子將在今年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報道稱，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報告，報告提到將在今年上半年開始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規(guī)模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進的半導(dǎo)體工藝制程為3納米，但市場主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠商主要
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晶圓代工大廠公布五年發(fā)展規(guī)劃，1.4納米芯片量產(chǎn)時間敲定
- 10月20日，三星電子在韓國首爾舉辦晶圓代工論壇，此前三星已經(jīng)分別在美國加州、德國慕尼黑、日本東京舉辦了該論壇活動，韓國首爾是今年三星晶圓代工論壇的收官站點。在上述晶圓代工系列活動上，三星對外介紹了最新技術(shù)成果，以及未來五年晶圓代工事業(yè)發(fā)展規(guī)劃。豪賭先進制程：2025年2nm、2027年1.4nm！今年6月，三星率先啟動了基于GAA(全環(huán)繞柵極）架構(gòu)的3nm制程芯片生產(chǎn)。未來三星將繼續(xù)提升GAA相關(guān)技術(shù)，并將其導(dǎo)入2nm和1.7nm節(jié)點工藝。按照規(guī)劃，三星將于2025年量產(chǎn)2nm先進制程工藝技術(shù)，到202
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TechInsights：關(guān)于納米的謊言
- 代工廠放任客戶編造制造工藝謊言許多人偶爾會謊報自己的年齡或體重，但若公司出現(xiàn)了謊報行為，則可視為虛假廣告或至少構(gòu)成了品牌稀釋。最近的半導(dǎo)體市場就出現(xiàn)了這種情況，當時，兩家領(lǐng)先的代工廠都放任客戶聲稱他們采用了4納米工藝，而實際使用的卻仍是5納米技術(shù)。這種情況讓雙方均形象受損，尤其是代工廠。而這背后，也意味著晶體管發(fā)展的緩慢。這個問題最初始于三星。在與臺積電下一個節(jié)點的長期競爭中，三星在交付5納米芯片的一年后宣布將于2021年底交付生產(chǎn)4納米芯片。如圖1所示，臺積電計劃在5納米和4納米節(jié)點之間用兩年時間，在2
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Intel工藝展望：2022年邁向4納米
- Intel日本分公司在筑波市舉行了一次技術(shù)會議，內(nèi)容頗為豐富，涉及半導(dǎo)體技術(shù)現(xiàn)狀與未來、Nehalem微架構(gòu)、ATM主動管理技術(shù)、Anti-Thefe防盜技術(shù)、My WiFi無線技術(shù)等等。 其中有關(guān)半導(dǎo)體制造工藝的展望引起了我們的特別關(guān)注。近十幾年來，Intel以每兩年升級一次的速度從0.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經(jīng)了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個世代，并帶來了多種技術(shù)革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內(nèi)部互聯(lián)材料從鋁到銅、通道從硅到應(yīng)變硅
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