45納米 文章 進(jìn)入45納米技術(shù)社區(qū)
英特爾停產(chǎn)部分芯片 向45納米技術(shù)轉(zhuǎn)移
- 中國臺(tái)灣筆記本制造商提供的消息稱，計(jì)算機(jī)微處理器制造商英特爾最近向筆記本廠商發(fā)布通知透露，公司將逐步淘汰迅馳（Centrino）筆記本平臺(tái)（Napa和Napa Refresh）中老時(shí)的處理器。 通知稱，英特爾計(jì)劃明年1月份發(fā)布一個(gè)產(chǎn)品中止通知，在通知中將包括它的 Napa Refresh 筆記本平臺(tái)中的T7600、T7400、T7200、T5600和T5500微處理器，公司計(jì)劃明年3月份將停止接受這些芯片的訂單。&nb
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基辛格暢談?dòng)⑻貭柵c快速發(fā)展的行業(yè)高科技
- 英特爾公司高級(jí)副總裁兼數(shù)字企業(yè)事業(yè)部總經(jīng)理帕特•基辛格，在英特爾信息技術(shù)峰會(huì)上介紹了英特爾與整個(gè)行業(yè)合作在處理器、相關(guān)技術(shù)以及Tick-tock設(shè)計(jì)步伐方面的最新情況，包括英特爾即將推出的 45 納米產(chǎn)品的最新信息。同時(shí)他還介紹了行業(yè)內(nèi)近期在節(jié)能計(jì)算、虛擬化以及大量軟件開發(fā)方面的一些舉措和近期推出的一些新的系統(tǒng)架構(gòu)計(jì)劃，從USB互聯(lián)技術(shù)到公司即將推出的用于英特爾®博銳™技術(shù)臺(tái)式機(jī)的無鉛產(chǎn)品。 基辛格指出：“英特爾的發(fā)展模式和設(shè)計(jì)步伐是一種前瞻性的、經(jīng)濟(jì)高
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45納米后，摩爾定律還能堅(jiān)持多久？
- 自1970年發(fā)明MOS工藝及73年推出CMOS工藝以來，至今還沒有發(fā)現(xiàn)可替代它的工藝，足見CMOS工藝的經(jīng)濟(jì)合理性。因此，至今硅基材料的應(yīng)用仍在繼續(xù)延伸。然而，在晶體管工藝制造中采用二氧化硅作為柵極材料，實(shí)質(zhì)上已逼近極限。如65納米工藝時(shí)，二氧化硅柵極的厚度己降低至1.2納米，約5個(gè)硅原子層厚度，如果再繼續(xù)縮小，將導(dǎo)致漏電及功耗急劇上升。 晶體管工藝技術(shù)的又一個(gè)里程碑Intel共同創(chuàng)始人Gordon Moore說，采用“high-k”和金屬柵電極材料，標(biāo)志著從推出多晶硅柵MOS晶體管以來，晶體管技術(shù)的一
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45納米芯片大戰(zhàn)結(jié)局: 松下IBM或擊敗英特爾
- 關(guān)注芯片領(lǐng)域四核之戰(zhàn)的朋友可能不會(huì)陌生，英特爾不斷以45納米芯片重磅新聞轟炸AMD，宣稱自己的45納米芯片將第一個(gè)上市。然而現(xiàn)實(shí)可能出乎業(yè)界的預(yù)料，第一個(gè)將45納米芯片搬上貨架的可能既不是英特爾，也不是AMD，而是松下或IBM。 據(jù)國外媒體報(bào)道，以45納米競賽“王者”自居的英特爾，可能對(duì)上述說法不以為然，它會(huì)說英特爾已在內(nèi)部演示了45納米芯片，代號(hào)為“Penryn”，根據(jù)計(jì)劃今年底該芯片將上市，而AMD的45納米芯片可能要到2008年才能上市。然而業(yè)界所關(guān)注的并非產(chǎn)品演示，就真正供
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臺(tái)積電將為AMD代工制造45納米工藝芯片
- 臺(tái)積電CEO蔡力行(Rick Tsai)向分析人士表示，臺(tái)積電將在2008年為尚未公布名字的客戶制造處理器。 他說，我們預(yù)計(jì)將于明年下半年開始制造處理器，這一交易將對(duì)臺(tái)積電的收入做出重大貢獻(xiàn)。 蔡力行沒有披露更多細(xì)節(jié)，但表示，為了為該客戶制造處理器，臺(tái)積電正在投入巨資部署高阻抗金屬柵極技術(shù)。高阻抗金屬柵極技術(shù)是45納米工藝的關(guān)鍵部分，它能夠大幅度減少電流泄露。 臺(tái)積電已經(jīng)在為威盛制造處理器，但威盛的處理器采用的是較為陳舊的工藝，在近期內(nèi)不大可能要求使用高阻抗金屬柵極技術(shù)。這就使得A
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應(yīng)用材料推出45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設(shè)備
- 近日，應(yīng)用材料公司宣布推出先進(jìn)的AppliedCenturaTetraTMIII掩膜刻蝕設(shè)備，它是目前唯一可以提供45納米光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統(tǒng)。TetraIII通過控制石英掩膜把刻槽深度控制在10Å以內(nèi)，同時(shí)把臨界尺寸損失減小到10nm以下，使客戶可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強(qiáng)有力的光學(xué)臨近修正技術(shù)。該系統(tǒng)為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應(yīng)用提供無差錯(cuò)、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。
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應(yīng)用材料公司推出關(guān)鍵性45納米光掩膜刻蝕技術(shù)設(shè)備
- 近日，應(yīng)用材料公司宣布推出先進(jìn)的Applied Centura® TetraTMIII掩膜刻蝕設(shè)備，它是目前唯一可以提供45納米光掩膜刻蝕所需要的至關(guān)重要的納米制造技術(shù)系統(tǒng)。Tetra III通過控制石英掩膜把刻槽深度控制在10 Å以內(nèi)，同時(shí)把臨界尺寸損失減小到10nm以下，使客戶可以在最重要的器件層交替使用相移掩膜和強(qiáng)有力的光學(xué)臨近修正技術(shù)。該系統(tǒng)為基于鉻、石英、氮氧硅鉬等多種新材料的下一代光刻技術(shù)應(yīng)用提供無差錯(cuò)、高產(chǎn)能的刻蝕工藝。 應(yīng)用材料公司資深副總裁，刻蝕、清潔、前道
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臺(tái)積電9月量產(chǎn)45納米產(chǎn)品 率臺(tái)灣代工廠之先
- 4月10日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球最大晶圓代工廠臺(tái)積電周一表示，將于今年9月開始量產(chǎn)45納米產(chǎn)品，成為臺(tái)灣首家邁入45納米量產(chǎn)的晶圓廠。 臺(tái)積電總經(jīng)理兼總執(zhí)行長蔡力行表示：“為因應(yīng)客戶未來的需求，公司迅速建構(gòu)完成了45納米設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境，并結(jié)集完備的設(shè)計(jì)支援服務(wù)，協(xié)助客戶將來能快速導(dǎo)入45納米產(chǎn)品?！? 目前，全球消費(fèi)電子產(chǎn)業(yè)均朝更為精巧且高效能設(shè)計(jì)發(fā)展，臺(tái)積電為提高產(chǎn)業(yè)競爭力，也一路由90納米、65納米至最新的45納米先進(jìn)工藝邁進(jìn)。
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英特爾今年建成三家45納米多核廠
- 英特爾數(shù)字企業(yè)集團(tuán)副總裁兼服務(wù)器平臺(tái)事業(yè)部總經(jīng)理Kirk Skaugem稱，英特爾三家45納米的工廠將在今年完工，這將有助于英特爾擴(kuò)大多核處理器產(chǎn)能和降低產(chǎn)品價(jià)格。 據(jù)介紹，這三家工廠分別位于以色列，美國俄勒岡州和美國亞利桑那州。Kirk Skaugem對(duì)它們的即將建成充滿期待，認(rèn)為它必將鞏固英特爾在多核處理器領(lǐng)域的競爭。 “對(duì)手要挑戰(zhàn)我們?cè)谖⒓軜?gòu)的領(lǐng)先地位是非常困難的，所有優(yōu)勢(shì)的獲得都要投入數(shù)十億美元的資金。要搞多核競爭就要有產(chǎn)能，有產(chǎn)能才有價(jià)格優(yōu)勢(shì)，也就要有大的工廠，英特爾在這方面非常
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英特爾展示45納米處理器 下半年上市銷售
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，英特爾公司已開始生產(chǎn)全球第一個(gè)45納米工藝處理器，英特爾公司計(jì)劃在今年下半年開始銷售新處理器。 在英特爾硅谷總部的演示會(huì)上，公司展示了“Penryn”處理器的開發(fā)型號(hào)。英特爾演示了一個(gè)低電壓版的雙內(nèi)核筆記本處理器，還有雙內(nèi)核和四內(nèi)核版的臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器處理器。英特爾還將開發(fā)10種45納米型號(hào)。 芯片制造商宣稱，Penryn是40年來半導(dǎo)體芯片的最偉大突破，因?yàn)樗梢宰層⑻貭柪^續(xù)使用當(dāng)前
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45納米介紹
1906年，世界第一枚電子器件劃時(shí)代而生。此后百年間，隨著晶體管與集成電路的成功開發(fā)，人類開始步入速度驚人的芯片時(shí)代。
我們知道，能夠帶來突破性性能與尺寸的新體系結(jié)構(gòu)，需要在更小的體積內(nèi)放入更多的晶體管數(shù)目，需要更高級(jí)的芯片制程工藝。
從第一顆處理器到90納米處理器，乃至65納米處理器都是如此。英特爾把這種以兩年為周期的芯片與微體系結(jié)構(gòu)快速發(fā)展步調(diào)稱為“Tick-tock”戰(zhàn)略。當(dāng)硅 [ 查看詳細(xì) ]
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