日本礙子開發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓

• 　　日本礙子稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結(jié)晶體時(shí)采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個(gè)晶圓表面實(shí)現(xiàn)低缺陷密度的同時(shí)獲得了無色透明特性。 　　日本礙子在其他研究機(jī)構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進(jìn)行了發(fā)光性能試驗(yàn)，結(jié)果表明，該LED元件的內(nèi)部量子效率達(dá)到約90%(注入電流200mA時(shí))。據(jù)日本礙子介紹，市售LED元件的內(nèi)部量子效率為30～40%(注入電流200mA時(shí))，照此計(jì)算，利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內(nèi)部量子效率提
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