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          基本硬件知識(shí)之功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的檢測(cè)

          • 三極管的差別方法我相信大家都十分熟悉了,但是場(chǎng)效應(yīng)管的差別方法我發(fā)現(xiàn)很少人提及。下面寫出來(lái)與大家分享一下:         (1)、判斷柵極和管型:用萬(wàn)用表Rx100的電阻擋,任意測(cè)量?jī)蓚€(gè)引腳之間的正、負(fù)電阻值。如果其中一次測(cè)量中測(cè)得兩電極的阻值為數(shù)百歐,那么兩表筆所接的電極為源極S 和漏極D,另一電極為柵極。         用萬(wàn)用表Rx1K擋,測(cè)量管子的漏源極
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          mos場(chǎng)效應(yīng)管介紹

            MOS場(chǎng)效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管,英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),屬于絕緣柵型。   MOS場(chǎng)效應(yīng)管主要特點(diǎn):   在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻(最高可達(dá)1015Ω)。它也分N溝道管和P溝道管,符號(hào)如圖所示。通常是將襯底(基板)與源極S接在一起。 [ 查看詳細(xì) ]

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