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n溝道 文章 進(jìn)入n溝道技術(shù)社區(qū)
東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET
- 中國(guó)上海，2023年6月13日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線(xiàn)。該器件采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，耐壓600V，適用于數(shù)據(jù)中心、開(kāi)關(guān)電源和光伏發(fā)電機(jī)功率調(diào)節(jié)器。該新產(chǎn)品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產(chǎn)品，于今日開(kāi)始批量出貨。 通過(guò)對(duì)柵極設(shè)計(jì)和工藝進(jìn)行優(yōu)化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產(chǎn)品相比，600V DTMOSVI系列產(chǎn)品的單位面積漏源導(dǎo)通電阻降
- 關(guān)鍵字： 東芝推 超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu) N溝道 功率MOSFET
東芝的新款150V N溝道功率MOSFET具有業(yè)界領(lǐng)先的低導(dǎo)通電阻和改進(jìn)的反向恢復(fù)特性
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。TPH9R00CQ5具有行業(yè)領(lǐng)先的[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導(dǎo)通電阻，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時(shí)，與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復(fù)電荷減少約74%，反向恢復(fù)[5]時(shí)間縮短約44
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東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置發(fā)布150V N溝道功率MOSFET
- 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”。該產(chǎn)品采用最新一代(*1)工藝“U-MOSX-H”，適用于工業(yè)設(shè)備的開(kāi)關(guān)電源，包括部署在數(shù)據(jù)中心和通信基站的設(shè)備。3月31日開(kāi)始出貨。TPH9R00CQH的漏極-源極導(dǎo)通電阻比TPH1500CNH低大約42%，后者是一款采用了當(dāng)前U-MOSVIII-H工藝的15
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Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專(zhuān)門(mén)用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線(xiàn)充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
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MSO管掃盲文，告訴你N溝道和P溝道簡(jiǎn)單的判斷方法
- 1、MSO的三個(gè)極怎么判定： MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方?！ 極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。 S極， 不論是P溝道還是N溝道， 兩根線(xiàn)相交的就是; D極， 不論是P溝道還是N溝道， 是單獨(dú)引線(xiàn)的那邊?！ ?、他們是N溝道還是P溝道? 三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了： 當(dāng)然也可以先判斷溝道類(lèi)型，再判斷三個(gè)腳極性?！ ∠扰袛嗍鞘裁礈系溃倥袛嗳齻€(gè)腳極性?！ ?、寄生二極管的方向如何判定? 接下來(lái)，是寄生二極管的方向判斷： 它的判斷規(guī)則就是： N溝道，
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n溝道介紹
場(chǎng)效應(yīng)管，其分為MOS管和C-MOS管兩種，又分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。它分為NPN型PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對(duì)于場(chǎng)效應(yīng)管，其輸出電流是由輸入的電壓（或稱(chēng)電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器 [ 查看詳細(xì) ]
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