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          P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用領(lǐng)域

          • Littelfuse P溝道功率MOSFETs,雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名,在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限,然而,隨著低壓(LV)應(yīng)用需求的增加,P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)(HS)應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器(<120 V)和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o(wú)需電荷泵或額外的電壓源,高端側(cè)(HS)P溝道MOSFET易于驅(qū)動(dòng),具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、節(jié)省空間,零件數(shù)量少等特點(diǎn),提升了成本效率。本文通過(guò)對(duì)N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較,介紹Littelfuse P溝道功率
          • 關(guān)鍵字: 202404  P溝道功率MOSFET  MOSFET  
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          p溝道功率mosfet介紹

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