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基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì)
- 基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA在心電監(jiān)控儀上的應(yīng)用設(shè)計(jì),Fution系列的FPGA是世界上首個(gè)基于Flash構(gòu)架的模數(shù)混合的FPGA，即在數(shù)字FPGA的基礎(chǔ)上加入了模擬電路部分，解決了傳統(tǒng)模擬電路和FPGA分離給設(shè)計(jì)帶來的諸多問題，降低了PCB板的制作難度，縮小了產(chǎn)品的體積。FPGA的可編
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C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù)
- C6201／C6701 DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器MBM29LV800BA接口技術(shù), DSP是針對實(shí)時(shí)數(shù)字信號處理而設(shè)計(jì)的數(shù)字信號處理器，由于它具有計(jì)算速度快、體積小、功耗低的突出優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于嵌入式實(shí)時(shí)系統(tǒng)。FLASH存儲(chǔ)器是新型的可電擦除的非易失性只讀存儲(chǔ)器，屬于EEPROM器件，與其它的
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基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計(jì)
- 1引言火災(zāi)樓層顯示器作為火災(zāi)自動(dòng)報(bào)警系統(tǒng)的重要組成部分，是一種安裝在樓層或獨(dú)立防火區(qū)中的數(shù)字式火...
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
- NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲(chǔ)定義，同時(shí)還提出了對flash的分區(qū)方法。
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分析稱臺(tái)系DRAM廠明年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
- 關(guān)鍵字： 南科 DRAM Flash
NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠開始對模塊廠讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動(dòng)，部分模塊廠開始回補(bǔ)一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O果(Apple)訂單的撐腰，對于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
分析稱臺(tái)系DRAM廠2011年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達(dá)6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRA
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