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使用CMOS集成電路需注意的幾個問題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個問題： 1、電源問題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)
- 現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因為2.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法
- 簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應(yīng)采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
TTL與CMOS電路的區(qū)別
- 簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。 TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級)，負(fù)載力大，不用端多數(shù)不用處理。 CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負(fù)載力小，不用端必須處理。 CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 TTL：
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)（3）
- 簡介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程，這個過程越長，說明它的動態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣! 2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計算出來的
- 1、CS單管放大電路 共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
- 關(guān)鍵字： CMOS 電路
CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設(shè)備需求增
- 微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關(guān)鍵字： CMOS 3D-IC
ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計劃
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺，幫助芯片設(shè)計者實現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 該平臺是ams“More than Silicon”計劃中的另一項拓展，通過該平臺ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識產(chǎn)權(quán)、元件庫、工程咨詢及服務(wù)，利用其專業(yè)技術(shù)幫助客戶順利開發(fā)先進(jìn)的模擬和混合信號電路。 ams專有的光電子晶圓代工平臺基于先進(jìn)的0.35µm CMOS
- 關(guān)鍵字： ams CMOS
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