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模擬IC與數(shù)字IC異同
- 處理連續(xù)性的光、聲音、速度、溫度等自然模擬信號(hào)的IC被稱為模擬IC。模擬IC處理的這些信號(hào)都具有連續(xù)性，可以轉(zhuǎn)換為正弦波研究。而數(shù)字IC處理的是非連續(xù)性信號(hào)，都是脈沖方波?！ ∧MIC按技術(shù)類型來(lái)分有只處理模擬信號(hào)的線性IC和同時(shí)處理模擬與數(shù)字信號(hào)的混合IC。模擬IC按應(yīng)用來(lái)分可分為標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC和特殊應(yīng)用型模擬 IC。標(biāo)準(zhǔn)型模擬IC包括放大器(Amplifier)、電壓調(diào)節(jié)與參考對(duì)比(VoltageRegulator/Reference)、信號(hào)界面(Interface)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(Data
- 關(guān)鍵字： 模擬IC CMOS
CMOS和TTL集成門(mén)電路多余輸入端處理方法
- 本篇文章介紹了在邏輯IC中CMOS和TTL出現(xiàn)多余輸入端的解決方法，并且對(duì)每種情況進(jìn)行了較為詳細(xì)的說(shuō)明，希望大家能從本文得到有用的知識(shí)，解決輸入端多余的問(wèn)題?！ MOS門(mén)電路 CMOS門(mén)電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門(mén)電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法： 與門(mén)和與非門(mén)電路 由
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
干貨分享：工程師教你如何設(shè)計(jì)D類放大器
- D類放大器首次提出于1958年，近些年已逐漸流行起來(lái)。那么，什么是D類放大器?它們與其它類型的放大器相比如何? 為什么D類放大器對(duì)于音頻應(yīng)用很有意義?設(shè)計(jì)一個(gè)“優(yōu)質(zhì)”D類音頻放大器需要考慮哪些因素? 本文中試圖回答上述所有問(wèn)題。 音頻放大器背景 音頻放大器的目的是以要求的音量和功率水平在發(fā)聲輸出元件上重新產(chǎn)生真實(shí)、高效和低失真的輸入音頻信號(hào)。音頻頻率范圍約為20 Hz～20 kHz，因此放大器必須在此頻率范圍內(nèi)具有良好的頻率響應(yīng)(當(dāng)驅(qū)動(dòng)頻帶有限的揚(yáng)聲器時(shí)頻率
- 關(guān)鍵字： D類放大器 CMOS
對(duì)比工業(yè)成像中的CCD及CMOS技術(shù)
- 在工業(yè)應(yīng)用的成像系統(tǒng)中，CCD是采用定制的半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)，高度優(yōu)化于成像應(yīng)用，并需要外部電路將模擬輸出電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)用于后續(xù)處理。具有高效的電子快門(mén)能力、寬動(dòng)態(tài)范圍和出色的圖像均勻性。而CMOS圖像傳感器不像CCD將電荷傳送到有限的輸出端，而是放置晶體管在每一像素內(nèi)，來(lái)進(jìn)行電荷——電壓轉(zhuǎn)換。這令電壓在整個(gè)器件中傳輸，使更快和更靈活的圖像讀取成為可能。
- 關(guān)鍵字： 成像系統(tǒng) 圖像傳感器 CCD CMOS 201604
什么是TTL電平、CMOS電平？?jī)烧叩膮^(qū)別
- TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸是很理想的。COMS集成電路的許多基本邏輯單元都是用增強(qiáng)型PMOS晶體管和增強(qiáng)型NMOS管按照互補(bǔ)對(duì)稱形式連接的，下面來(lái)說(shuō)一下兩者的區(qū)別?！ ∈裁词荰TL電平 TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。 TTL電平信號(hào)對(duì)于計(jì)算機(jī)處理器控制
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
芯片光傳輸突破瓶頸 頻寬密度增加10~50倍
- 整合光子與電子元件的半導(dǎo)體微芯片可加快資料傳輸速度、增進(jìn)效能并減少功耗，但受到制程方面的限制，一直無(wú)法廣泛應(yīng)用。自然(Nature)雜志刊登一篇由美國(guó)加州大學(xué)柏克萊分校、科羅拉多大學(xué)和麻省理工學(xué)院研究人員發(fā)表的論文，表示已成功利用現(xiàn)有CMOS標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)，制作出一顆整合光子與電子元件的單芯片。 據(jù)HPC Wire網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，這顆整合7，000萬(wàn)個(gè)電晶體和850個(gè)光子元件的芯片，采用商業(yè)化的45納米SOI CMOS制程制作，與現(xiàn)有的設(shè)計(jì)和電子設(shè)計(jì)工具均相容，因此可以大量生產(chǎn)。芯片內(nèi)建的光電發(fā)射器和接收器
- 關(guān)鍵字： 芯片 CMOS
使用CMOS集成電路需要注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為T(mén)TL和CMOS兩大類，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題?！ ?、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門(mén)電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路也可以正
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
關(guān)于電路的那些常識(shí)性概念
- 一.TTL TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(mén)(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源?！ ?.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol Uoh≥2.4V,Uol≤0.4V 2.輸入高電平和輸入低電平 Uih≥2.0V，Uil≤0.8V 二.CMOS CMOS電路是電壓控制器件，輸入電阻極大，對(duì)于干擾信號(hào)十分敏感，因此不用的輸入端不應(yīng)開(kāi)路，接到地或者電源上。CMOS電路的優(yōu)點(diǎn)是噪聲容限較寬，靜態(tài)功耗很小?！ ?/li>
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
歐盟為5G打造III-V族CMOS技術(shù)
- 歐盟(E.U.)最近啟動(dòng)一項(xiàng)為期三年的“為下一代高性能CMOS SoC技術(shù)整合III-V族奈米半導(dǎo)體”(INSIGHT)研發(fā)計(jì)劃，這項(xiàng)研發(fā)經(jīng)費(fèi)高達(dá)470萬(wàn)美元的計(jì)劃重點(diǎn)是在標(biāo)準(zhǔn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS)上整合III-V族電晶體通道。其最終目的則在于符合未來(lái)的5G規(guī)格要求，以及瞄準(zhǔn)頻寬更廣、影像解析度更高的雷達(dá)系統(tǒng)。 除了IBM (瑞士)，該計(jì)劃將由德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固態(tài)物理研究所Fraunhofer IAF、法國(guó)LETI、瑞典隆德大學(xué)(Lund Universi
- 關(guān)鍵字： 5G CMOS
線性電源（LDO）原理性分析總結(jié)
- 文章內(nèi)容為線性電源(LDO)原理性分析總結(jié)?！ 【€性電源(LDO) 低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)的基本電路如下所示，該電路由串聯(lián)調(diào)整管VT、取樣電阻R1和R2、比較放大器A組成?！ ?nbsp; 對(duì)此的理解：穩(wěn)壓管為運(yùn)放反向端提供穩(wěn)定的參考電壓Uref,輸出端通過(guò)R2的分壓提供運(yùn)放同相端的電壓。當(dāng)輸出電壓過(guò)高時(shí)，同相端電壓值大于反向端參考，輸出為正值，因此三極管截止，Uout下降。當(dāng)輸出電壓Uout過(guò)低時(shí)，同相端電壓值小于反向端參考，輸出為負(fù)值，因此三極管導(dǎo)通，Uout上
- 關(guān)鍵字： 線性電源 LDO
安森美半導(dǎo)體推出先進(jìn)的1300萬(wàn)像素CMOS圖像傳感器，采用SuperPD PDAF技術(shù)
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，進(jìn)一步擴(kuò)展成像方案產(chǎn)品陣容，推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件，針對(duì)消費(fèi)電子產(chǎn)品如智能手機(jī)和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD?相位檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦(PDAF)像素技術(shù)，提供微光下300 ms或更少時(shí)間的對(duì)焦速度，即使微光低于25勒克斯(lux)。此外，AR1337通過(guò)采用其片上PDAF處理，大大簡(jiǎn)化集成到智能手機(jī)平臺(tái)和提高相機(jī)模塊集成商生產(chǎn)能力，較市場(chǎng)上其它
- 關(guān)鍵字： 安森美 CMOS
CMOS傳感器，3D化發(fā)表接二連三
- 在正在舉行的“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日，美國(guó)舊金山)上，與積層CMOS圖像傳感器的3D(三維)化相關(guān)的發(fā)表接連不斷。在有9項(xiàng)演講的“SESSION6 Image Sensors”論壇上，有3項(xiàng)演講是與CMOS圖像傳感器的3D化有關(guān)的。以前業(yè)界就在做3D化嘗試，而此次的3項(xiàng)技術(shù)除了比原來(lái)具有更強(qiáng)的低成本和低功耗意識(shí)之外，還在3D化中輕松實(shí)現(xiàn)了“模塊化”。 ? 通過(guò)模塊化手段
- 關(guān)鍵字： CMOS 傳感器
摩爾定律邁入“后CMOS”時(shí)代
- 在英特爾(Intel)負(fù)責(zé)晶圓廠業(yè)務(wù)的最高長(zhǎng)官表示，摩爾定律(Moore’s Law)有很長(zhǎng)的壽命，但如果采用純粹的CMOS制程技術(shù)就可能不是如此。 “如 果我們能專注于降低每電晶體成本，摩爾定律的經(jīng)濟(jì)學(xué)是合理的;”英特爾技術(shù)與制造事業(yè)群(technology and manufacturing group)總經(jīng)理William Holt，在近日于美國(guó)舊金山舉行的年度固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上對(duì)近3,000名與會(huì)者表示：“而超越CMOS，我們將看
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 CMOS
歷時(shí)兩年,清芯華創(chuàng)完成對(duì)OmniVision收購(gòu)
- 美國(guó) CMOS 圖像感測(cè)器大廠豪威(OmniVision)28 日宣布與中國(guó)清芯華創(chuàng)為首的投資基金完成收購(gòu)，從清芯華創(chuàng)等提出收購(gòu)邀約到完成并購(gòu)歷時(shí)長(zhǎng)達(dá)兩年，而在消息公布同時(shí)，豪威也于 28 日暫停在那斯達(dá)克證券市場(chǎng)的交易。 豪威 28 日宣布，與中國(guó)清芯華創(chuàng)、中信資本與其旗下的金石投資所組成的投資基金完成收購(gòu)，豪威以每股 29.75 美元、總計(jì) 19 億美元代價(jià)授予中國(guó)該基金，并于 28 日起于那斯達(dá)克證券市場(chǎng)暫停交易。據(jù)悉，早在 2014 年 8 月豪威即收到來(lái)自清
- 關(guān)鍵字： OmniVision CMOS
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