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承受業(yè)界強(qiáng)度的模擬器件
- 承受業(yè)界強(qiáng)度的模擬器件幾十年的工藝開(kāi)發(fā)大多著眼于提高邏輯電路的密度與速度。最小門(mén)尺寸已經(jīng)從微米級(jí)縮小到100nm以下。然而，我們周?chē)氖澜绮](méi)有同步縮小，所以，對(duì)許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)，信號(hào)、噪聲和非周期事件仍與過(guò)去一樣大或者更大。作為I/O設(shè)計(jì)師該怎么辦？ 要點(diǎn) 高電壓模擬工藝的改進(jìn)能實(shí)現(xiàn)更高的集成度和模擬電路與數(shù)字電路的更有效混合?！ ‰S著亞微米高電壓工藝進(jìn)一步確立自己的地位，芯片制造商和 OEM 設(shè)計(jì)者將需要重新考慮功能分割的方法?！ ‰S著工作電壓和信號(hào)電壓的提高，考慮保護(hù)電路以應(yīng)對(duì)異常情況和故障情況這一
- 關(guān)鍵字： Analog Devices
RF MICRO DEVICES為新型AT&T無(wú)線終端提供解決方案
- 日前，無(wú)線通信應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)先專用射頻集成電路(RFIC)供應(yīng)商RF Micro Devices, Inc.公司（Nasdaq 股市代號(hào): RFMD）宣布，該公司正在批量發(fā)運(yùn)用于 AT&T Wireless 最近宣布推出的 Ogo™ 無(wú)線終端的 POLARIS™ TOTAL RADIO™ 解決方案。POLARIS 解決方案由 RFMD 的 GSM/GPRS POLARIS 收發(fā)器和該公司業(yè)界領(lǐng)先的 PowerStar® 功率放大器 (PA) 模塊組成。
- 關(guān)鍵字： RF Micro Devices Inc. RF IF
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