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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元,因此在實際應用時,須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速,平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本,在售價大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢,取代原本使用的NOR型快閃記
- 關鍵字: NAND Flash
直接數(shù)字合成技術實現(xiàn)函數(shù)信號發(fā)生器
- 本文利用直接數(shù)字合成技術通過一款FPGA可編程邏輯芯片實現(xiàn)函數(shù)信號發(fā)生器的研制,該信號發(fā)生器是以Altera公司生產的EP4CE6F17C8芯片為設計載體,通過DDS技術實現(xiàn)兩路同步信號輸出。通過軟件Quartus-II12.0和Nios-II 12.0開發(fā)環(huán)境編程,實現(xiàn)多種波形信號輸出,信號具有高精度的頻率分辨率能力,最高可達36位。最后通過實驗輸出的波形信號符合標準。
- 關鍵字: 直接數(shù)字合成技術 FPGA 信號發(fā)生器 Quartus-II 201512
下一代FPGA有望實現(xiàn)突破性優(yōu)勢
- 本白皮書介紹為什么電信帶寬和基礎設施促進了FPGA功能的增強,以及ASIC和ASSP面臨的商業(yè)挑戰(zhàn),可編程邏輯器件(PLD)定制方法是怎樣支持FPGA功能的跨越式發(fā)展。本文還簡要介紹了下一代FPGA和SoC系列品。 引言 最新發(fā)布的FPGA是硬件規(guī)劃人員、軟件開發(fā)人員和系統(tǒng)設計人員實現(xiàn)其下一代產品目標的關鍵支撐因素。大量的電信基礎設施成指數(shù)增長的帶寬需求以及各行業(yè)使用這些帶寬的需求使得現(xiàn)有硬件和軟件解決方案很難滿足性能要求,也難以達到成本和功耗目標。ASIC、ASSP和獨立處理器遇到了發(fā)展瓶頸,P
- 關鍵字: FPGA SoC
Altera公開業(yè)界第一款集成了HBM2 DRAM和FPGA的異構SiP器件
- Altera公司(Nasdaq)公開業(yè)界第一款異構系統(tǒng)級封裝(SiP,System-in-Package)器件,集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器(HBM2)以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件,其特殊的體系結構設計滿足了高性能系統(tǒng)對存儲器帶寬最嚴格的要求。 數(shù)據(jù)中心、廣播、固網和高性能計算等系統(tǒng)要處理的數(shù)據(jù)量不斷攀升,需要的帶寬非常高。相對于目前的分立DRAM解決方案,Stratix 10 DRAM SiP的
- 關鍵字: Altera FPGA
Altera公開業(yè)界第一款集成了HBM2 DRAM和FPGA的異構SiP器件
- Altera公司今天公開業(yè)界第一款異構系統(tǒng)級封裝(SiP,System-in-Package)器件,集成了來自SK Hynix的堆疊寬帶存儲器(HBM2)以及高性能Stratix® 10 FPGA和SoC。Stratix 10 DRAM SiP代表了新一類器件,其特殊的體系結構設計滿足了高性能系統(tǒng)對存儲器帶寬最嚴格的要求。 數(shù)據(jù)中心、廣播、固網和高性能計算等系統(tǒng)要處理的數(shù)據(jù)量不斷攀升,需要的帶寬非常高。相對于目前的分立DRAM解決方案,Stratix 10 DRAM SiP的存儲器帶寬提
- 關鍵字: Altera FPGA
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