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	gan mos driver
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          GaN是5G最好選擇 手機端應用現(xiàn)實嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度，可實現(xiàn)頻率復用效率的巨大提升，并且?guī)砜捎^的容量增長，未來隨著基站數(shù)量的增加，基站內射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預測，射頻前端的市場規(guī)模預估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。

　　Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉
　　有業(yè)內分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
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          • 關鍵字：
                        GaN  5G                          
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          慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結構件領域的最新產品 都在世強
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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          • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          新工廠，新起點：安世半導體駛入快車道！
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2018年3月6日，Nexperia(安世半導體)公司廣東分立器件封裝和測試新工廠正式投產，該工廠將重點解決產能問題，用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務發(fā)展規(guī)劃。

　　【安世半導體(中國)有限公司廣東后道工廠】
　　據(jù)Nexperia首席運營官Sean Hunkler介紹，新工廠投產之后，Nexperia全年總產量將超過1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導體(中國)有限公司開發(fā)的最新封裝，包括
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          • 關鍵字：
                        安世  GaN                          
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          TI推出業(yè)內最小、最快的GaN驅動器，擴展其GaN電源產品組合
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅動器，進一步擴展了其業(yè)內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關鍵應用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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          • 關鍵字：
                        TI  GaN                          
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          2018年全球十大突破性技術是如何產生的？
          
                                                            
            
                    	
          • 　　《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術”，這份全球新興科技領域的權威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。
　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone
　　入選理由：將機器學習工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播
　　重大意義：目前，人工智能的應用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術相結合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。
　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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          • 關鍵字：
                        機器學習  GAN                          
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          氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”
          
                                                            
            
                    	
          • 　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產品。
　　“不會游泳的時候就跳下了水”
　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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          • 關鍵字：
                        GaN  氮化鎵                          
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          宜普電源轉換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術的大面積無線電源及高分辨率激光雷達應用
          
                                                            
            
                    	
          • 　　EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應用?！　PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對多種設備同時充電，可傳送高達300 W功率?？蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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          • 關鍵字：
                        宜普  GaN                          
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          如何設計防反接保護電路？
          
                                                            
            
                    	
          • 如何設計防反接保護電路？-利用MOS管的開關特性，控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路，由于功率MOS管的內阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
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          • 關鍵字：
                        mos                          
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          揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管
          
                                                            
            
                    	
          • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關電源設備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關鍵參數(shù)對電源設計工程師至關重要。
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          • 關鍵字：
                        MOS  電源                          
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          制造能耗變革從新一代半導體開始
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　接近62%的能源被白白浪費
　　美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
　　

　　圖1：整體的能源轉換效率約在38
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          • 關鍵字：
                        SiC  GaN                          
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          GaN器件開路 5G將重塑RF產業(yè)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　未來五年，通信產業(yè)向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
　　未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或將增長75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
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          • 關鍵字：
                        GaN  5G                          
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          5G推動RF PA技術改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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          • 關鍵字：
                        5G  GaN                          
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          MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著集成電路工藝制程技術的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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          • 關鍵字：
                        MOS  FinFET                          
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          2021年全球MOCVD市場將突破11億美元
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　什么是MOCVD?
　　MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
　　MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。
　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
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          • 關鍵字：
                        MOCVD  GaN                          
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          拯救EMI輻射超標，開關電源能做點啥？
          
                                                            
            
                    	
          •  作為工作于開關狀態(tài)的能量轉換裝置，開關電源的電壓、電流變化率很高，產生的干擾強度較大；干擾源主要集中在功率開關期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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          • 關鍵字：
                        EMI  開關電源  MOS                          
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          gan mos driver介紹
          
      			
          
		      	
          
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