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基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
- 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當，容易停振或
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采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路
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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOS
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