low emi 文章進(jìn)入low emi技術(shù)社區(qū)

合理選擇電容器來實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波

　　本文將重點(diǎn)討論多層陶瓷電容器，包括表面貼裝和引腳兩種類型。討論如何計(jì)算這些簡(jiǎn)單器件的阻抗和插入損耗之間的相互關(guān)系。文中還介紹了一些改進(jìn)型規(guī)格的測(cè)試，如引線電感和低頻電感，另外，還給出了等效電路模型。這些模型都是根據(jù)測(cè)得的數(shù)據(jù)導(dǎo)出的，還介紹了相關(guān)的測(cè)試技術(shù)。針對(duì)不同的制造工藝，測(cè)試了這些寄生參數(shù)，并繪制出了相應(yīng)的阻抗曲線。　　長(zhǎng)期以來，一直使用旁路和去耦電容來減小PCB上產(chǎn)生的各種噪聲，也。由于成本相對(duì)較低，使用容易，還有一系列的量值可選用，電容器常常是電路板上用來減小電磁干擾(EMI)的主要器件。
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開關(guān)電源外圍應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

　　隨著各行各業(yè)不斷涌現(xiàn)出新的企業(yè)，市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)越來越大，如何在保證產(chǎn)品質(zhì)量的前提下，減少產(chǎn)品成本，已經(jīng)成為每個(gè)企業(yè)的新課題。下面就根據(jù)電子產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境，來對(duì)如何設(shè)計(jì)一個(gè)恰到好處的開關(guān)電源外圍電路作簡(jiǎn)單介紹?！　≡趪H標(biāo)準(zhǔn)IEC61000中對(duì)電子類產(chǎn)品根據(jù)應(yīng)用環(huán)境分成了三類： 1類是居住、商業(yè)和輕工業(yè)環(huán)境; 2類是工業(yè)環(huán)境;3類是測(cè)量、控制和實(shí)驗(yàn)室用的電設(shè)備。使用較少，這里不做贅述?！　∮糜?類的電子產(chǎn)品對(duì)電磁抗擾度的要求就相對(duì)較低，對(duì)傳導(dǎo)輻射要求比較高;而2類產(chǎn)品卻恰好相反，對(duì)電磁抗擾
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物聯(lián)網(wǎng)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中的低成本EMI/EMC預(yù)一致性測(cè)試

針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備在無線通信技術(shù)中的EMI/EMC問題，本文以基于USB接口的RSA306實(shí)時(shí)頻譜分析儀進(jìn)行EMI預(yù)一致性分析測(cè)試為例，就如何進(jìn)行IoT的EMI/EMC測(cè)試進(jìn)行分析。
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ESD/EMI/EMC電路設(shè)計(jì)技巧 ——電磁干擾的屏蔽方法

　　電磁兼容是指“一種器件、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時(shí)不會(huì)對(duì)此環(huán)境中任何其他設(shè)備產(chǎn)生強(qiáng)烈電磁干擾。”對(duì)于無線收發(fā)設(shè)備來說，采用非連續(xù)頻譜可部分實(shí)現(xiàn) EMC 性能，但是很多有關(guān)的例子也表明 EMC 并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測(cè)試設(shè)備之間、打印機(jī)和臺(tái)式電腦之間以及蜂窩電話和醫(yī)療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾(EMI)?！　?、EMC 問題來源　　所有電器和電子設(shè)備工作時(shí)都會(huì)有間歇或連續(xù)性電壓電流變化
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出色模擬工程師必備系列(一)：電磁干擾(EMI)

　　以上我們介紹了電磁干擾的一些分類，下面我們介紹如何來抑制電磁干擾　　電磁干擾的定義，是指由外部噪聲和無用電磁波在接收中所造成的騷擾。一個(gè)系統(tǒng)或系統(tǒng)內(nèi)某一線路受電磁干擾程度可以表示為如下關(guān)系式：　　N=G×C/I 　　G：噪聲源強(qiáng)度; 　　C：噪聲通過某種途徑傳到受干擾處的耦合因素; 　　I：受干擾電路的敏感程度。　　G、C、I這三者構(gòu)成電磁干擾三要素。電磁干擾抑制技術(shù)就是圍繞這三要素所采取的各種措施，歸納起來就是三條：一、抑制電磁干擾源;二、切斷電磁干擾耦合途徑;三、降低
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【E課堂】濾波器選擇需注意的十個(gè)問題

　　近期接觸幾位技術(shù)工程師朋友在選用濾波器，發(fā)現(xiàn)了不少有意思的問題，才發(fā)現(xiàn)波平浪靜處水最險(xiǎn)。于是下文就為大家介紹濾波器選擇時(shí)需要注意的問題?！　?、如果未經(jīng)過對(duì)儀器的EMI、EMS指標(biāo)測(cè)試就選定了濾波器，基本上屬于“盲人騎瞎馬、夜半臨深池”的主兒;　　2、如果機(jī)器上選擇的是一個(gè)市面上買來的通用濾波器，這個(gè)濾波器基本上是可以不加的;　　3、濾波器8分定制、2分通用才算比較靠譜。　　下此結(jié)論的原因是因?yàn)樽罱龅降暮脦灼鹗虑?，都加了濾波器，但傳導(dǎo)就是不過，最后還是根據(jù)測(cè)試結(jié)果給設(shè)計(jì)了個(gè)濾波器樣品，一裝上ok才算
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EMI濾波器設(shè)計(jì)中干擾特性和阻抗特性

　　根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn)，大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個(gè)項(xiàng)目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求，通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個(gè)現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個(gè)能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目，只有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個(gè)濾波器，如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個(gè)新的濾波器。因此，要找到一個(gè)合適的EMI濾波器就成為一個(gè)費(fèi)時(shí)且高成本的任務(wù)?！　‰娮酉到y(tǒng)產(chǎn)生的干擾特性　　解決問題首先要了解電子系統(tǒng)產(chǎn)生的總干擾
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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能?！　《?、開關(guān)管MOSFET的功耗分析　　　　MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動(dòng)
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尋找EMC對(duì)策，關(guān)鍵在于實(shí)際產(chǎn)品與理論相結(jié)合

　　現(xiàn)在，受到EMC(電磁兼容性)問題困擾的技術(shù)人員越來越多。這是因?yàn)殡S著產(chǎn)品向多功能化、高功能化和高速化發(fā)展，EMC對(duì)策的難度也與日俱增。車載電子產(chǎn)品稱得上是一個(gè)典型的代表。對(duì)此，日本Qualtec可靠性測(cè)試中心所長(zhǎng)前野剛指出：“只要掌握了訣竅，就能找到EMC解決方法。”圍繞EMC對(duì)策當(dāng)前的課題和對(duì)策的重點(diǎn)，前野所長(zhǎng)接受了記者采訪。　　——聽說以車載電子產(chǎn)品為代表，對(duì)于最近的電子產(chǎn)品，很多電路設(shè)計(jì)人員都在為EMC對(duì)策犯愁。首先請(qǐng)您用外行也能理解的語言，
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注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分

　　在不要求主級(jí)電路和次級(jí)電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時(shí)，SEPIC 是一種非常有用的拓?fù)?。在要求短路電路保護(hù)時(shí)，我們可以使用它來代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流，從而帶來較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓?fù)?如圖 1 所示)可使用兩個(gè)單獨(dú)的電感(或者由于電感的電壓波形類似)，因此還可以使用一個(gè)耦合電感，如圖所示。因其體積和成本均小于兩個(gè)單獨(dú)的電感，耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對(duì)全部可能的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。　　
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電容感測(cè)：你應(yīng)該選擇哪個(gè)架構(gòu)？

　　電容感測(cè)在很多應(yīng)用中大展拳腳，從接近度檢測(cè)和手勢(shì)識(shí)別，到液面感測(cè)。無論是哪種應(yīng)用，電容感測(cè)的決定性因素都是根據(jù)一個(gè)特定的基準(zhǔn)來感測(cè)傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系統(tǒng)要求的不同，你也許需要不同的方法來測(cè)量這個(gè)變化。在這篇博文章，我將介紹2個(gè)特定的架構(gòu)類型—開關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當(dāng)前一種用于電容感測(cè)的電路。　　開關(guān)電容器電路　　圖1顯示的是針對(duì)電容感測(cè)的經(jīng)簡(jiǎn)化電路，它以電荷轉(zhuǎn)移為基礎(chǔ);電路中的開關(guān)執(zhí)行采樣保持運(yùn)行。在采樣之間，傳感器電感器上的電荷的變化會(huì)導(dǎo)致輸出電壓的變化
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PowerLab 筆記：如何避免傳導(dǎo) EMI 問題

　　這里，我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時(shí)會(huì)發(fā)生的情況。　　1.只需幾fF的雜散電容就會(huì)導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講，開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會(huì)產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時(shí)，會(huì)有少量電流直接泵送至電源線。　　2.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過，兩個(gè)導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比，與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個(gè)節(jié)點(diǎn)，并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。想想電路布局中該節(jié)點(diǎn)的表面積是多少，
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手把手硬件電路詳細(xì)設(shè)計(jì)過程

　　獻(xiàn)給那些剛開始或即將開始設(shè)計(jì)硬件電路的人。時(shí)光飛逝，離俺最初畫第一塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時(shí)候，與你一樣，俺充滿了疑惑同時(shí)又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗(yàn)、知識(shí)讓人目不暇接。像信號(hào)完整性，EMI，PS設(shè)計(jì)準(zhǔn)會(huì)把你搞暈。別急，一切要慢慢來。　　1)總體思路。設(shè)計(jì)硬件電路，大的框架和架構(gòu)要搞清楚，但要做到這一點(diǎn)還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好，自己只是把思路具體實(shí)現(xiàn);但也有些要自己設(shè)計(jì)框架的，那就要搞清楚要實(shí)現(xiàn)什么功能，然后找找有否能實(shí)現(xiàn)同樣或相似功能的參考電路
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能

　　摘要：本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。　　關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI　　金升陽R3 　　一、引言　　MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
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高速PCB設(shè)計(jì)EMI之九大規(guī)則

　　隨著信號(hào)上升沿時(shí)間的減小及信號(hào)頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問題越來越受到電子工程師的關(guān)注，幾乎60%的EMI問題都可以通過高速PCB來解決。以下是九大規(guī)則：　　規(guī)則一：高速信號(hào)走線屏蔽規(guī)則　　　　在高速的PCB設(shè)計(jì)中，時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號(hào)線，走線需要進(jìn)行屏蔽處理，如果沒有屏蔽或只屏蔽了部分，都會(huì)造成EMI的泄漏。建議屏蔽線，每1000mil，打孔接地。　　規(guī)則二：高速信號(hào)的走線閉環(huán)規(guī)則　　　　由于PCB板的密度越來越高，很多PCB LAY
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