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三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線開始量產(chǎn)
- 實現(xiàn)DRAM量產(chǎn)后，預(yù)計生產(chǎn)新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產(chǎn)品 憑借更快更薄的產(chǎn)品搶占移動設(shè)備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線正式開工，首發(fā)量產(chǎn)產(chǎn)品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節(jié)）LPDDR5移動DRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產(chǎn)線的建筑面積達12.89萬平方米（
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三星宣布其全球最大半導(dǎo)體生產(chǎn)線開始量產(chǎn)16Gb LPDDR5 DRAM
- 三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產(chǎn)線已開始量產(chǎn)業(yè)界首款采用極紫外光（EUV）技術(shù)的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產(chǎn)品內(nèi)置內(nèi)存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業(yè)提升到了一個新的門檻，克服了先進節(jié)點下DRAM擴展的主要發(fā)展障礙。"三星電子DRAM產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
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美光出樣業(yè)界首款搭載LPDDR5的uMCP封裝產(chǎn)品，為5G手機提供更強性能和電池續(xù)航
- 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，開始出樣業(yè)界首款同時搭載低功耗 DDR5 (LPDDR5) DRAM 的通用閃存 (UFS) 多芯片封裝 (uMCP) 產(chǎn)品。這款 uMCP 產(chǎn)品為纖薄緊湊的中端智能手機設(shè)計提供了高密度、低功耗的存儲解決方案。美光的新款 uMCP5 封裝采用了公司在多芯片封裝方面的創(chuàng)新和前沿技術(shù)，集成了低功耗 DRAM、NAND 和板載控制器，其與雙芯片解決方案相比，占用空間減少 40%。
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被“吹爆”的LPDDR5內(nèi)存，究竟有多強大？很多人都不了解！
- 在最近的三星Galaxy S系列和小米10系列發(fā)布會上，都出現(xiàn)了LPDDR5內(nèi)存這個全新的硬件版本，這是LPDDR5內(nèi)存首次被商用，相信很多人都對它的性能十分感興趣，畢竟在這之前小米高管已經(jīng)對其進行了大篇幅的宣傳。
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LPDDR5引領(lǐng)下一代5G手機及移動的內(nèi)存潮流
- LPDDR5 DRAM芯片可帶來更低的功耗和更快的數(shù)據(jù)讀取速度，非常適合正在涌現(xiàn)的5G手機等移動應(yīng)用。例如不久前，美光宣布交付全球首款量產(chǎn)應(yīng)用于高端智能手機的LPDDR5 DRAM 芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機，美光LP5與前代產(chǎn)品相比，數(shù)據(jù)訪問速度提升了50%，功耗則降低了20%以上。那么，手機內(nèi)存的發(fā)展趨勢如何？LP5適用于哪些場景？美光LP5的特點及工藝趨勢是什么？為此，電子產(chǎn)品世界等媒體通過Skype電話會議訪問了美光科技移動產(chǎn)品事業(yè)部市場副總裁Christopher Moore
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Intel第二代10nm Tiger Lake-U原型機曝光：首秀LPDDR5內(nèi)存
- 10nm Ice Lake還沒有全面鋪開，Intel第二代10nm Tiger Lake已經(jīng)頻頻亮相，不過首發(fā)還是面向輕薄本等設(shè)備的U系列、Y系列低功耗版本。在歐亞經(jīng)濟委員會(ECC)的認證數(shù)據(jù)庫中，我們又一次看到了Tiger Lake-U原型機的身影，而且披露了一項重要的信息：搭配的內(nèi)存由LPDDR4X變成了全新的下一代LPDDR5！LPDDR5內(nèi)存標準今年2月份剛剛公布，重新設(shè)計體系結(jié)構(gòu)，并繼續(xù)提速降功耗，具體來說最高頻率從LPDDR4X 4266MHz猛增到了6400MHz，同時功耗降低多達30％，
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三星首發(fā)LPDDR5內(nèi)存芯片：6400Mbps、功耗降低30%
- 三星今晨宣布，成功開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款LPDDR5-6400內(nèi)存芯片，基于10nm級(10～20nm)工藝?！ ?jù)悉，該LPDDR5內(nèi)存芯片單顆容量8Gb(1GB)，8GB容量的模組原型也做出并完成功能驗證?！ ∑渌疽?guī)格還有，內(nèi)存速度(針腳帶寬)最高6400Mbps，是LPDDR4X 4266Mbps的1.5倍。三星稱，每秒可以傳送51.2GB數(shù)據(jù)(比如高端手機常見的64bit bus)，相當于14部1080P電影(每部3.7GB)。要是PC的128bit BUS，每秒破100GB無壓力?！ ∨c此同時，
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LPDDR5、UFS 3.0存儲介紹：我們何時能用上？
- 相較于處理器芯片，存儲性能這些年在智能手機上的重要性也開始逐漸凸顯。據(jù)Android Authority總結(jié)，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存儲卡將會成為新一輪旗艦智能機將要占領(lǐng)的技術(shù)之制高點?！ 【唧w來說，LPDDR5的速度將達到6400Mbps，比LPDDR4翻番，比LPDDR4X(4266Mbps)提升50%。按照IC廠商Synopsys透露的，LPDDR5將引入WCK差分時鐘，類似于GDDR5，從而在不增加引腳的情況下提升頻率?！ 〈送?，LPDDR5還將引入
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