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一起模擬業(yè)務(wù)并購案,凸顯出功率芯片大廠的孤注一擲
- 近期,業(yè)內(nèi)完成了一起并購案,美國功率器件大廠 Wolfspeed 以 1.25 億美元的價(jià)格,將其射頻業(yè)務(wù)(Wolfspeed RF)出售給了美國另一家模擬和混合信號(hào)芯片廠商 MACOM Technology。在出售的射頻業(yè)務(wù)中,還包括 GaN-on-SiC(以 SiC 為襯底的 GaN 芯片技術(shù))產(chǎn)品組合及其專利,主要用于制造射頻芯片),這部分業(yè)務(wù)的主要應(yīng)用領(lǐng)域是航空航天、國防、工業(yè)和電信。對(duì)于這起并購案,Wolfspeed 總裁兼首席執(zhí)行官 Gregg Lowe 表示:「鑒于在汽車,工業(yè)和可再生能源市
- 關(guān)鍵字: Wolfspeed MACOM
意法半導(dǎo)體連手MACOM 攻射頻硅基氮化鎵有成
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)和電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供貨商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司(那斯達(dá)克股票代碼:MTSI」)宣布,已成功制造出射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片。有鑒于此佳績,意法半導(dǎo)體與MACOM將繼續(xù)合作,并加強(qiáng)雙方的合作關(guān)系。射頻硅基氮化鎵為5G和6G基礎(chǔ)建設(shè)之應(yīng)用帶來巨大的發(fā)展?jié)摿?。早期世代的射頻功率放大器(Power Amplifier,PA)主要采用橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(Laterally-Diffused Metal
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MACOM 亮相OFC 2019 舉辦 InnovationZone 攜行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者展示云數(shù)據(jù)中心及5G連接解決方案
- 2019年3月20日,馬薩諸塞州洛厄爾- MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM””) 主辦的InnovationZone在OFC 2019展會(huì)上首次亮相,重點(diǎn)展示當(dāng)今云數(shù)據(jù)中心和5G行業(yè)的先鋒產(chǎn)品。MACOM首創(chuàng)的InnovationZone匯聚了業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商,并以現(xiàn)場(chǎng)演示和靜態(tài)展示的方式進(jìn)行互操作性演示,內(nèi)容包括: · 適用于遠(yuǎn)距離、城域網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心互連 (DCI) 的64 GBaud相干光學(xué)傳輸 · 適用于FR4/DR4的400 Gbps
- 關(guān)鍵字: MACOM 5G
MACOM 亮相OFC 2019 舉辦 InnovationZone 攜行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者展示云數(shù)據(jù)中心及5G連接解決方案
- 2019年3月20日,馬薩諸塞州洛厄爾- MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM””) 主辦的InnovationZone在OFC 2019展會(huì)上首次亮相,重點(diǎn)展示當(dāng)今云數(shù)據(jù)中心和5G行業(yè)的先鋒產(chǎn)品。MACOM首創(chuàng)的InnovationZone匯聚了業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商,并以現(xiàn)場(chǎng)演示和靜態(tài)展示的方式進(jìn)行互操作性演示,內(nèi)容包括: · 適用于遠(yuǎn)距離、城域網(wǎng)和數(shù)據(jù)中心互連 (DCI) 的64 GBaud相干光學(xué)傳輸 · 適用于FR4/DR4的400 Gbps
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MACOM推出業(yè)界首款面向云數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的400G-FR4 L-PIC
- 2019年3月20日,馬薩諸塞州洛厄爾–全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體組件供應(yīng)商 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 今日宣布推出面向400G-FR4應(yīng)用的MAOP-L564FP。這是一款集成了激光器的四通道硅光子集成電路 (L-PIC),易于組裝、校準(zhǔn)和測(cè)試,可顯著降低運(yùn)營成本,幫助客戶輕松地從100Gbps過渡到400Gbps,并降低生產(chǎn)成本?! ∪缃瘢袠I(yè)對(duì)數(shù)據(jù)的需求呈爆炸式增長,推動(dòng)著云數(shù)據(jù)中心供應(yīng)商不斷地?cái)U(kuò)展其解決方案布局。MACOM運(yùn)用其專利L-P
- 關(guān)鍵字: MACOM MAOP-L564FP
MACOM攜手CIG亮相OFC 2019演示支持200G光模塊的完整解決方案 滿足數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)低功耗、低成本的需求
- 2019年3月19日,加利福尼亞州圣地亞哥—— 第44屆美國光纖通訊展覽及研討會(huì) (OFC 2019) 期間,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體組件供應(yīng)商 MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 與上海劍橋科技股份有限公司 (“CIG”) 合作演示支持200G光模塊的完整解決方案。全新的200G (4 x 50Gbps) QSFP模塊由CIG負(fù)責(zé)開發(fā),采用 MACOM的高性能模擬芯片組,并針對(duì)云數(shù)據(jù)中心高密度鏈路的大規(guī)模部署進(jìn)行優(yōu)化?! ≡摻鉀Q方案采用業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的模
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MACOM推出第二代用于單λ100G和400G應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器系列
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc.(“MACOM”)今日宣布推出第二代用于單λ100G和400G應(yīng)用的驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品。新一代的EML和硅光子驅(qū)動(dòng)器不僅具備高性能,而且采用低成本的SMT封裝,能夠滿足100G DR1/FR1和400G DR4/FR4應(yīng)用的需求。該產(chǎn)品系列包括: · MAOM-005321:采用3x4mm封裝的單通道EML驅(qū)動(dòng)器 · MAOM-005324:采用3x4mm封裝的單通道硅光子驅(qū)動(dòng)器 · MAOM-005
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MACOM推出全新低噪聲跨阻放大器 擴(kuò)展其400G PAM-4芯片組數(shù)據(jù)中心光學(xué)連接解決方案陣營
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) )今日宣布推出MATA-03820和MATA-03819兩款四通道 (4 x 100G) 56/106 Gb PAM-4線性跨阻放大器 (TIA) 量產(chǎn)版產(chǎn)品,針對(duì)云數(shù)據(jù)中心400G光模塊帶來優(yōu)化性能。全新的MATA-03820和MATA-03819提供倒裝芯片和引線鍵合兩種封裝方式,分別可以快速、靈活地部署在QSFP-DD和OSFP封裝形式的單λ400G-FR4和DR4光模塊?!?/li>
- 關(guān)鍵字: MACOM MATA-03820
MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能,支持5G無線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布,將在2019年擴(kuò)大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能,200mm硅基GaN按需擴(kuò)產(chǎn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè),基于2018年初 MACOM和ST宣布達(dá)成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?! ‰S著全球推出5G網(wǎng)絡(luò)并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置,射頻RF功率產(chǎn)品需求預(yù)計(jì)
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MACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊 具備靈活安裝性能,實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)敏捷性
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊,擴(kuò)展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過優(yōu)化改良,適用于陸地移動(dòng)無線電系統(tǒng)(LMR)、無線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對(duì)抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、 兩級(jí)PA架構(gòu)的高效設(shè)計(jì),以及頂端和底端安
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MACOM宣布推出全新的優(yōu)化負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)器 可兼容高性能AlGaAs和HMIC PIN二極管開關(guān)
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 今日宣布推出兩款全新的負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)器,能夠無縫兼容MACOM全系列AlGaAs和HMIC PIN二極管開關(guān)產(chǎn)品。相比分立元件的驅(qū)動(dòng)方案,全新集成的MADR-011020和MADR-011022用于驅(qū)動(dòng)MACOM具有業(yè)界領(lǐng)先性能的PIN二極管,可有效簡化PCB布局,降低元器件成本并縮短項(xiàng)目研發(fā)周期?! ADR-011020支持-20V至-50V之間的反向偏置電壓,適用于驅(qū)動(dòng)中等功率S
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固態(tài)烹飪的健康和經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)
- 能夠生成和放大射頻信號(hào)早已屢見不鮮 - 但固態(tài)射頻能量在數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用之外也擁有巨大的潛力。隨著MACOM等公司以及射頻能量聯(lián)盟(RFEA)這樣的合作組織不斷開拓和發(fā)展這項(xiàng)技術(shù),固態(tài)射頻能量現(xiàn)已能夠?qū)崿F(xiàn)比傳統(tǒng)技術(shù)更高的效率和更優(yōu)的控制,其在大眾市場(chǎng)應(yīng)用中的全部潛力正在逐漸被發(fā)掘?! ∥⒉ㄅ腼兪且环N已經(jīng)通過固態(tài)射頻能量進(jìn)行充分改良的應(yīng)用,能夠?yàn)槟峁└】档娘嬍澈褪謴V泛的經(jīng)濟(jì)優(yōu)勢(shì)。固態(tài)射頻能量晶體管可產(chǎn)生超精確的受控能量場(chǎng),對(duì)控制器的響應(yīng)極為靈敏,從而保證射頻能量使用和分配的最優(yōu)性和精確性。這可以實(shí)現(xiàn)替
- 關(guān)鍵字: MACOM 固態(tài)烹飪
MACOM宣布用于100G雙向光連接的單芯片解決方案首款被推出業(yè)界
- 毫米波和光子解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商,公司宣布推出業(yè)界首款面向短距離100G光收發(fā)器、有源光纜(AOC)和板載光學(xué)引擎的集成單片發(fā)送和接收解決方案。全新的MALD-37845中無縫集成了四通道發(fā)送和接收時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)(CDR)功能、四個(gè)跨阻放大器(TIA)和四個(gè)垂直腔面發(fā)射激光器(VSCEL)驅(qū)動(dòng)器,將為客戶提供無與倫比的易用性和極低成本。 新型MALD-37845支持24.3至28.1 Gbps的完整數(shù)據(jù)速率,專為CPRI、100G以太網(wǎng)、32G光纖通道和100G EDR無限帶寬應(yīng)用而設(shè)計(jì),將為客戶提供
- 關(guān)鍵字: MACOM 光收發(fā)器
砷化鋁鎵 (AlGaAs)技術(shù)簡介
- AlGaAs技術(shù)在微波行業(yè)采用能隙工程生產(chǎn)新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)已有二十多年的歷史。利用多量子阱、超晶格和異質(zhì)結(jié)的各種性質(zhì),已制造出由分子束外延法和有機(jī)金
- 關(guān)鍵字: MACOM AlGaAs技術(shù) 微波行業(yè)
5G技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)及解決方案
- 作者 Graham Board 在6 GHz以下和毫米波5G實(shí)現(xiàn)過程中,測(cè)試和測(cè)量供應(yīng)商面臨的挑戰(zhàn)是支持超寬帶寬,設(shè)計(jì)出可同時(shí)滿足這兩個(gè)頻段的儀器?! 〈送猓c早期的3G和4G LTE部署相比,5G增加了架構(gòu)方面的復(fù)雜性,原因在于大規(guī)模的多輸入多輸出(MIMO)天線配置,其特殊之處體現(xiàn)5G基站。早期基站可能容納四到八根天線,而5G基站可以容納數(shù)百根獨(dú)立的發(fā)射和接收天線同時(shí)運(yùn)行,這意味著現(xiàn)在有數(shù)百個(gè)無線電信道可以并行實(shí)施掃描和處理,而且都工作在更高的頻率上。無論測(cè)試5G基站還是兼容5G的移動(dòng)設(shè)備,無線(O
- 關(guān)鍵字: MACOM 5G 硅基氮化鎵功率晶體管 硅基氮化鎵功率晶體管 201807
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