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一種簡(jiǎn)單的防短路的保護(hù)方法

　　前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯(cuò)的器件?！　‰m然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過(guò)的電流也有最大限制，如果電流過(guò)大，比如外接負(fù)載短路，同樣會(huì)被燒毀。短路都是非正常工
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場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)

　　我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.　　1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來(lái)是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來(lái)新的問(wèn)題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應(yīng)出來(lái)的
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深度分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管在消費(fèi)類電子中的電路設(shè)計(jì)

　　當(dāng)我們還是學(xué)生的時(shí)候，不論從做題還是原理分析上,通常會(huì)重點(diǎn)學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計(jì)算、動(dòng)態(tài)信號(hào)分析等等。對(duì)于MOS管，老師一般都會(huì)草草帶過(guò)，沒(méi)有那么深入的分析和了解，一般都會(huì)說(shuō)MOS管和三極管的不同就是一個(gè)是電壓控制，一個(gè)是電流控制，一個(gè)Ri大，一個(gè)Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實(shí)戰(zhàn)的角度進(jìn)行MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分析?！　∈紫任覀儊?lái)看下經(jīng)常使用的增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場(chǎng)效應(yīng)管?！　≡谙M(fèi)類電子設(shè)計(jì)中由于對(duì)功耗要求比較嚴(yán)格，通常使用N溝道和P溝道MOS
關(guān)鍵字： MOS 場(chǎng)效應(yīng)管

怎樣正確使用MOS 集成電路

　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對(duì)器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗(yàn)指出，在高電壓放電時(shí)器件會(huì)失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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到底什么是fmax講解

　　簡(jiǎn)介：今天一個(gè)剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f(shuō)，他的老板給了他一個(gè)MOS管讓他測(cè)管子的fmax,幫他測(cè)完之后，他還問(wèn)到怎么才能加大這個(gè)fmax~~想到自己也曾千辛萬(wàn)苦的琢磨這個(gè)參數(shù)，就寫(xiě)個(gè)短短的文章說(shuō)一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。　　這兩個(gè)頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無(wú)論BJT還是MOS，也決定了將來(lái)電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個(gè)最大頻率是絕對(duì)不可能到fmax和ft的)。這兩個(gè)頻率其實(shí)離得不遠(yuǎn)，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來(lái)定義的，fmax是用最大功率增益來(lái)定義的，千萬(wàn)別弄混了哦。下圖是一
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iPad Mini 4拆解：確認(rèn)2GB內(nèi)存+更小容量電池

　　國(guó)外知名維修網(wǎng)站iFixit今天對(duì)iPad Mini 4進(jìn)行了拆解，確認(rèn)該平板比前代裝備了更小的電池容量。正如此前科技評(píng)測(cè)網(wǎng)站Ars Technica對(duì)其進(jìn)行的GeekBench 3測(cè)試結(jié)果，通過(guò)物理拆解確認(rèn)iPad Mini 4裝備2GB的內(nèi)存和時(shí)鐘頻率為1.5GHz的 A8處理器，這意味著該平板要比iPhone 6s/6s Plus(1.4GHz的A8處理器)性能更卓越，要比前代iPad mini 2/3所搭載的1.3GHz A7處理器有著明顯的性能提升。　　　　iFi
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一種簡(jiǎn)單的防短路保護(hù)方法

　　簡(jiǎn)介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個(gè)概念，不要混淆在一起。　　前段時(shí)間開(kāi)發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來(lái)說(shuō)是一種效果不錯(cuò)的器件。　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過(guò)的電
關(guān)鍵字：靜電損壞 MOS

低待機(jī)功耗電源方案選擇

　　歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對(duì)靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對(duì)呢?下面給你解決此問(wèn)題的電源供電方案。　　2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機(jī)模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計(jì)要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計(jì)管理委員會(huì)批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達(dá)到第一階段的要求，2013年1月6日達(dá)到第二階段要求。　　　　圖1 Eup圖標(biāo) 　　我們來(lái)了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求，　　1、產(chǎn)品在關(guān)機(jī)或待機(jī)
關(guān)鍵字： MOS AC-DC

全球最小Mini PC探究，詳盡拆解“光棍一號(hào)T02”

　　去年光棍節(jié)，全球最小的Mini PC“光棍一號(hào)”橫空而出，絕佳的創(chuàng)意、強(qiáng)悍的性能再加上迷你的尺寸，讓這款產(chǎn)品在登錄京東眾籌之后獲得了巨大成功。早幾天，該產(chǎn)品團(tuán)隊(duì)帶來(lái)了光棍一號(hào)第二代“光棍一號(hào)T02”再度來(lái)襲，據(jù)設(shè)計(jì)方MeegoPad團(tuán)隊(duì)透露，該產(chǎn)品從性能、散熱、接口方面都做了巨大升級(jí)。我們拿到了一個(gè)樣機(jī)，重度拆解，透視其真相。　　在拆解之前，我們先了解一下T02的具體參數(shù)：　　　　下面是我們收到的產(chǎn)品包裝盒外觀：　　
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怎樣用最小的代價(jià)降低MOS的失效率？

　　【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動(dòng)電路中，自舉電路因技術(shù)簡(jiǎn)單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實(shí)際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時(shí)還伴隨著驅(qū)動(dòng)IC的損壞。如何破?一個(gè)合適的電阻就可搞定問(wèn)題。　　【問(wèn)題分析】　　　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動(dòng)電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過(guò)低端二極管進(jìn)行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會(huì)把驅(qū)動(dòng)的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電路異常，還可能讓自舉電容過(guò)充電
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Mini USB接口定義的秘密

　　導(dǎo)讀：想必大家對(duì)USB都不陌生吧，那么Mini USB是什么呢?Mini USB的接口又是什么樣的呢?本文將會(huì)為您解答~~ 一、Mini USB接口定義- -簡(jiǎn)介　　USB(Universal Serial Bus)，譯為通用串行總線，用于電腦與數(shù)碼設(shè)備間的數(shù)據(jù)傳輸?？紤]到體積因素，USB設(shè)計(jì)了數(shù)種接口，目前廣泛使用的有三種，即標(biāo)準(zhǔn)USB、Mini USB和Micro USB。本文將為您詳細(xì)介紹Mini USB接口。　　Mini USB，即迷你USB，是一種USB接口標(biāo)準(zhǔn)，與USB的功能和技
關(guān)鍵字： Mini USB Micro USB Mini USB接口定義

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理- -場(chǎng)效應(yīng)管工作原理也瘋狂

一、場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理- -概念　　場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡(jiǎn)稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場(chǎng)效應(yīng)管，是一種常見(jiàn)的利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場(chǎng)效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點(diǎn)使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。二、
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【輕松玩藍(lán)牙】序列之5：你中獎(jiǎng)了么？

　　一、準(zhǔn)備工作　　1.電腦一臺(tái); 　　2.已經(jīng)安裝好了MDK; 　　3.已經(jīng)安裝了nRF51_sdk軟件; 　　4.已經(jīng)安裝了nrfgostudio_win-32; 　　5.以上已經(jīng)確定安裝成功了; 　　6.藍(lán)牙開(kāi)發(fā)板。　　二、你中獎(jiǎng)了么? 　　首先我中獎(jiǎng)了，下面介紹一下中獎(jiǎng)過(guò)程。　　1.安裝好了MDK; 　　2.安裝好了nRF51_SDK; 　　3.安裝好了nRFGOstudio; 　　4.藍(lán)牙的mini-USB已經(jīng)驅(qū)動(dòng); 　　感覺(jué)萬(wàn)事具備了，于是就把一個(gè)例程拿過(guò)來(lái)燒錄
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2014最新Mac Mini臺(tái)式機(jī)拆解

　　時(shí)隔兩年，蘋(píng)果終于在秋季發(fā)布會(huì)上發(fā)布了最新升級(jí)版Mac Mini臺(tái)式機(jī)。不僅更新了處理器和顯卡，同時(shí)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)速度提高了3倍，可以說(shuō)這是一臺(tái)目前最強(qiáng)勁最完美的mini臺(tái)式機(jī)。很快知名拆解網(wǎng)站iFixit對(duì)Mac Mini進(jìn)行了完全拆解，下面我們來(lái)看看內(nèi)部有哪些改變。　　 ? 　　新版Mac Mini采用了Intel第四代酷睿處理器，首先來(lái)看看最強(qiáng)大臺(tái)式機(jī)的主要參數(shù)：　　1.4 GHz 雙核 Intel Core i5， 3 MB L3 cache 　　4 GB 1600 MH
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高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計(jì)

　　混頻器是無(wú)線收發(fā)機(jī)中的核心模塊，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個(gè)混頻器性能的重要指標(biāo)。　　在接收機(jī)中，混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級(jí)模塊設(shè)計(jì)的難度，有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號(hào)強(qiáng)度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對(duì)性能要求越來(lái)越高，無(wú)論是應(yīng)用于接收機(jī)系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ，還是應(yīng)用于發(fā)射機(jī)系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計(jì)具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點(diǎn)。　　在CMOS電路設(shè)
關(guān)鍵字： MOS 諧波混頻器