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Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能，并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù)，Nexperia的氮化鎵場效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動和控制，應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡化；使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動器也可以很容易地驅(qū)動它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia鍺化硅整流器兼具一流高效率、熱穩(wěn)定性，節(jié)省空間
- ?奈梅亨，2020年5月27日：半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出了一系列反向電壓為120 V、150 V和200 V的新鍺化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率與快速恢復(fù)二極管的熱穩(wěn)定性。?新款1-3 A SiGe整流器以汽車、通信基礎(chǔ)設(shè)施和服務(wù)器市場為目標(biāo)市場，尤其適合高溫應(yīng)用，例如，LED照明、發(fā)動機(jī)控制單元或燃油噴射。這些新推出的極低泄漏器件提供擴(kuò)展的安全工作區(qū)域，在不超過175 °C的條件下不會發(fā)生熱失控。同時(shí)，工程師也可以使用適用于高溫設(shè)
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NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅(jiān)固LFPAK56封裝
- 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適合汽車應(yīng)用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求
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Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用，包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
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Nexperia推出首款支持USB4標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù)器件
- 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，這是業(yè)內(nèi)首款專門針對USB4TM標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)的ESD保護(hù)器件，具有行業(yè)領(lǐng)先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技術(shù)與有源可控硅（SCR）技術(shù)，USB4TM和Thunderbolt接口設(shè)計(jì)工程師將會特別感興趣。該器件可實(shí)現(xiàn)極低電容（低至0.1 pF）；極低鉗位電壓 動態(tài)電阻低至0.1 ?）以及非常穩(wěn)健的防浪涌與ESD性能（，最高可達(dá)20A 8/
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Nexperia與Ricardo合作開發(fā)基于GaN的EV逆變器設(shè)計(jì)
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。 GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因?yàn)镚aN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達(dá)到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關(guān)拓?fù)?。在汽車領(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費(fèi)者最關(guān)心的問題?，F(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia面向汽車以太網(wǎng)新硅基 ESD 防護(hù)器件
- 奈梅亨，2020年 2 月 11 日：分立元件、MOSFET 元件及模擬和邏輯 IC 的專業(yè)制造商 Nexperia，今天宣布針對 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽車以太網(wǎng)系統(tǒng)推出業(yè)界領(lǐng)先且符合 OPEN Alliance 標(biāo)準(zhǔn)的硅基 ESD 防護(hù)器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽車工業(yè)和技術(shù)供應(yīng)商組成的非營利聯(lián)盟，他們相互協(xié)作，鼓勵(lì)廣泛采用基于以太網(wǎng)的網(wǎng)
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MJD 雙極晶體管（高達(dá) 8 A）豐富了 Nexperia 功率產(chǎn)品系列
- 近日，總部位于荷蘭的分立和 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC領(lǐng)域的專家Nexperia公司今日推出一款全新高質(zhì)量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽車雙極晶體管（符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)以及消費(fèi)者/工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)）。該款產(chǎn)品組合包括8款同時(shí)支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元件。這些符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸的通用元件如今補(bǔ)充了 Nexperia 現(xiàn)有的高性能雙極功率晶體管產(chǎn)品系列，從而進(jìn)一步豐富了本公司的功率雙極半導(dǎo)體系列。應(yīng)用場景有：LED 汽車照明；LCD 顯示器背光源調(diào)
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
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要提高功率密度，除改進(jìn)晶圓技術(shù)之外，還要提升封裝性能
- 汽車和工業(yè)應(yīng)用都需要不斷提高功率密度。例如，為了提高安全性，新的汽車動力轉(zhuǎn)向設(shè)計(jì)現(xiàn)在要求雙冗余電路，這意味著要在相同空間內(nèi)容納雙倍的元器件。再舉一個(gè)例子，在服務(wù)器群中，每平方米都要耗費(fèi)一定成本，用戶通常每18個(gè)月要求相同電源封裝中的輸出功率翻倍。如果分立式半導(dǎo)體供應(yīng)商要應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，不能僅專注于改進(jìn)晶圓技術(shù)，還必須努力提升封裝性能?？偛课挥诤商m的安世半導(dǎo)體是分立器件、MOSFET器件、模擬和邏輯集成電路領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，該公司率先在-功率封裝（LFPAK無損封裝）內(nèi)部采用了全銅夾片芯片貼裝技術(shù)，目的是實(shí)現(xiàn)多種
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Nexperia 榮膺博世全球供應(yīng)商獎
- 奈梅亨，2019 年 7 月 18 日：分立器件、 MOSFET 器件及模擬與邏輯 IC 專家 Nexperia 今日宣布其榮膺“直接材料采購——移動解決方案”類博世全球供應(yīng)商獎。Nexperia 憑借 2017-2018 年度的卓越表現(xiàn)和團(tuán)隊(duì)合作，從博世的 43,000 家實(shí)力供應(yīng)商中脫穎而出，躋身 47 家獲此殊榮的公司之列。自 1987 年起，博世每兩年頒發(fā)此獎，以此鼓勵(lì)在產(chǎn)品生產(chǎn)與供應(yīng)或服務(wù)中表現(xiàn)杰出的公司，該獎項(xiàng)尤其關(guān)注質(zhì)量、成本、創(chuàng)新和物流。今年的頒獎典禮在德國不萊夏舉行，其主題是：“共同變革
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安世半導(dǎo)體：深化中國戰(zhàn)略 鞏固規(guī)模優(yōu)勢
- 2017年從NXP標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品部獨(dú)立而成的安世半導(dǎo)體專注于高度可靠的創(chuàng)新分立式器件、MOSFET和邏輯產(chǎn)品組合。在分立器件領(lǐng)域，規(guī)?；瞧髽I(yè)競爭中非常重要的優(yōu)勢，產(chǎn)能則是規(guī)?；瘍?yōu)勢最明顯的體現(xiàn)。作為一家中國資本投資，歐洲團(tuán)隊(duì)管理運(yùn)作的企業(yè)，通過深化中國戰(zhàn)略，鞏固產(chǎn)能為主的規(guī)?；瘍?yōu)勢，安世半導(dǎo)體兩年間實(shí)現(xiàn)了飛速的增長。?規(guī)模優(yōu)勢帶來的是企業(yè)的快速發(fā)展，安世獨(dú)立之后就開始深化在中國市場的投資，不斷擴(kuò)充生產(chǎn)規(guī)模，每年將10%的銷售收入用于資本投入，其中73%用于擴(kuò)充產(chǎn)能，這使得安世半導(dǎo)體在兩年里實(shí)現(xiàn)了超
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Nexperia 與 Avnet 共同慶祝合作 50 周年
- 全球領(lǐng)先的分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件制造商 Nexperia 及全球技術(shù)解決方案供應(yīng)商 Avnet 今日宣布慶祝半個(gè)世紀(jì)以來取得的輝煌成就。Avnet 為客戶提供從理念到設(shè)計(jì)，從原型到生產(chǎn)的全套服務(wù)?！ ‰p方首次合作始于 1968 年，當(dāng)時(shí) Avnet 將 Signetics 作為其首個(gè)聯(lián)營公司。2006 年 Signetics 被飛利浦收購，更名 NXP。后來，NXP 的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品分部獨(dú)立為一家公司 Nexperia，成為分立元件、邏輯元件與 MOSFET 元件的強(qiáng)勢力量。Nex
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安世東莞廠全面擴(kuò)產(chǎn) 中資半導(dǎo)體引領(lǐng)未來
- Nexperia(安世半導(dǎo)體)3月初宣布安世半導(dǎo)體(中國)有限公司著力擴(kuò)建的廣東新分立器件封裝和測試工廠正式投產(chǎn)，全廠總面積達(dá)到72,000 平方米，新增16,000 平方米生產(chǎn)面積，年產(chǎn)量達(dá)到900 億件;根據(jù)產(chǎn)品組合，實(shí)現(xiàn)增長約50%，有力地支持了今后數(shù)年Nexperia 雄心勃勃的業(yè)務(wù)發(fā)展計(jì)劃。廣東新工廠的投產(chǎn)，使Nexperia 全年總產(chǎn)量超過1 千億件。本次新工廠投產(chǎn)的最大推動力源于2016年中國的建廣資產(chǎn)以27.5億美元收購恩智浦（NXP）標(biāo)準(zhǔn)件業(yè)務(wù)，并以此為基礎(chǔ)組建了全新的Nexperia(
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安世半導(dǎo)體Nexperia標(biāo)準(zhǔn)器件行業(yè)峰會圓滿落幕
- 2018年3月6日下午，由Nexperia安世半導(dǎo)體(中國)有限公司主辦的Nexperia標(biāo)準(zhǔn)器件行業(yè)峰會與安世半導(dǎo)體新工廠投產(chǎn)典禮同期舉行。Nexperia標(biāo)準(zhǔn)器件行業(yè)峰會是行業(yè)主管部門、行業(yè)協(xié)會、產(chǎn)業(yè)專家和商業(yè)合作伙伴探討最新中國半導(dǎo)體集成電路工業(yè)發(fā)展趨勢的交流互動平臺。 峰會以“中國半導(dǎo)體集成電路及標(biāo)準(zhǔn)器件的產(chǎn)業(yè)格局和行業(yè)趨勢”為主題，熱烈討論了在中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展的大背景下， Nexperia安世半導(dǎo)體與各行各業(yè)標(biāo)準(zhǔn)器件應(yīng)用領(lǐng)軍企業(yè)及上下游晶圓制造、代理分銷龍
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