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美光在上海加大研發(fā)，實現(xiàn)“中國設計”
- 2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國的前景，因為中國“十二五”計劃當中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合。 目前美光在上海有兩個設計中心，主要是做硬件和集成電路設計，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實驗室，旨在與客戶實現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
- 關鍵字： NOR 智慧城市 節(jié)能環(huán)保 閃存
高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存
- 不久前，Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口?！ ×硗猓琒pansion還推出了首個基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件，其讀取吞吐量可達333MB/s，比當今市場上可見速度最快的四SPI的5倍還快，引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3?！ ?jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
- 關鍵字： HyperBus NOR GUI ADAS 201402
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡稱SRAM。在電子設備中，常見的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪問存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時鐘信號，即可保持數(shù)據(jù)不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
- 關鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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