nor flash 文章 進入nor flash技術社區(qū)
恒憶?（NUMONYX）強勢進軍存儲器市場
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導體公司正式問世。公司主要業(yè)務是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術專長，在成立之初就成為存儲器市場的領先廠商，專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務，為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務。 恒憶™將從非易失性存儲器
- 關鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
透視 FPGA 的安全性
- 今天的設計人員已經(jīng)在許多不同的領域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設計工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應用中，尤其是消費電子和汽車電子等領域。據(jù)Gartner Dataquest市場研究公司指出，F(xiàn)PGA器件在汽車應用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。 這個增長在很大程度上是來自于FPGA本身的特點。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導航裝置和DVD播放機之類設備的產(chǎn)品壽命相對較短，因此縮短其開發(fā)周期變得非常重要?？删幊踢壿嫳憧蔀樵O計人員提供所需的靈活性
- 關鍵字： FPGA 汽車 Flash
HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU
- 03/03/2008訊,HOLTEK半導體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進行MCU程序內(nèi)存的燒錄，且燒錄次數(shù)可達十萬次，此項特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時間，并可提供更好的售后服務。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù)，不需受限于燒錄次數(shù)；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級，提供更高的附加
- 關鍵字： Flash MCU
ZigBee技術 無線傳感器網(wǎng)絡節(jié)點 MCl3192 LPC2138
- 摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應用，完成了硬件接口設計和軟件設計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 關鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 1 NAND Flash和NOR Flash 閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應用于手
- 關鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)
NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復在線測試
- 摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復方面進行在線測試。在給出測試結果的同時，著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結果進行分析，并提出改進方案和適用環(huán)境。 關鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 引 言 隨著嵌入式技術在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
- 關鍵字： NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS
Flash 單片機自編程技術的探討
- ???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲器的結構? ???????Flash存儲器模塊是一個可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個線性地址空間中，一個
- 關鍵字： Flash 單片機 自編程
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結構，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
- 關鍵字： NAND NOR flash
TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現(xiàn)
- l 引言 在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后，還有一項重要的工作要做：怎樣實現(xiàn)程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應用中，多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應用板最終要脫離仿真器獨立運行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體，掉電后程序及數(shù)據(jù)就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲體。Flash
- 關鍵字： TMS320C64x Flash
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大
- 快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準備，但仍是不敢大意。 TRI觀點： 2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
- 關鍵字： 內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器
2008：巨型晶圓廠初露鋒芒
- 以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預測數(shù)字顯示出我們當前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。 大舉擴產(chǎn)NAND閃存 低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
- 關鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
采用AVR Flash微控制器的電動車窗防夾系統(tǒng)
- 汽車上可自動關閉的電動車窗或車門設備潛藏著卡死，擠壓以及可能傷人的危險。它們必須能夠反向移動以防止馬達所施加的力超出正常限制。這種特性意味著必須持續(xù)監(jiān)視速度、電流和玻璃的位置。 由于成本和簡化的原因，本文所描述的系統(tǒng)使用普通的帶有霍爾效應傳感器的刷式馬達?；谒俣群团ぞ貙?shù)的檢測算法已通過健壯性和容錯性的驗證。該算法可用于所有帶有A/D 轉換器和通過變化引發(fā)中斷的I/O 口的AtmelAVR Flash 微控制器。本文描述的是基本原理，Atmel網(wǎng)站上的應用筆記有關于實現(xiàn)的詳細描述。 現(xiàn)代
- 關鍵字： AVR Flash 微控制器 汽車電子控制裝置
NAND Flash進軍NB/PC應用領域 借以擴大市占率
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(Topology Research Institute)針對NAND Flash應用市場發(fā)表研究報告指出，2008年起，除了由原手持式消費電子產(chǎn)品將繼續(xù)大量采用NAND Flash作為儲存裝置外，NAND Flash將通過NB與PC的采用，以混合式硬盤或固態(tài)硬盤(SSD)的產(chǎn)品型態(tài)，逐步擴大市場占有率，市場需求將從2007年的6.7%增長至15.3%。 拓墣表示，NAND Flash在過去幾年快速擴充產(chǎn)品應用領域，從2004年產(chǎn)品應用比例最高的數(shù)碼相機，到2006年MP3 Pla
- 關鍵字： NAND Flash SSD MCU和嵌入式微處理器
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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