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BittWare 宣布對 Eideticom 進(jìn)行戰(zhàn)略投資并拓寬基于 FPGA 的 NVMe 加速器產(chǎn)品組合以將 EDSFF 納入其中
- 新加坡–2019 年8月21日–Molex旗下的 BittWare 公司是一家采用FPGG技術(shù)的企業(yè)級 NVMe 存儲平臺領(lǐng)域領(lǐng)先供應(yīng)商，宣布將對 Eideticom 進(jìn)行戰(zhàn)略投資并開展協(xié)作 – 后者在高增長的新興計(jì)算存儲市場上是廣受認(rèn)可的領(lǐng)導(dǎo)者。BittWare 市場副總裁 Craig Petrie 表示：“我們對 Eideticom 的投資合作將加快基于 NVMe 的計(jì)算存儲解決方案的推出，并且協(xié)助我們的客戶在降低風(fēng)險(xiǎn)和成本的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。通過分享兩種尖端產(chǎn)品的詳細(xì)信息，我們正在拓展 BittWar
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美光推出全新 NVMe SSD 產(chǎn)品組合，提升客戶端計(jì)算性能
- 愛達(dá)荷州博伊西(2019 年 3 月 18 日)—— 美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼：MU)今日宣布推出全新固態(tài)硬盤 (SSD) 產(chǎn)品組合，該產(chǎn)品支持 NVM Express? (NVMe?) 協(xié)議，幫助客戶端計(jì)算提升帶寬并降低延遲。美光? 2200 PCIe? NVMe SSD 是一款垂直整合的解決方案——基于 3D TLC NAND、自主設(shè)計(jì)的 ASIC 控制器和固件、以及 M.2 外形規(guī)格。該解決方案讓美光得以滿足原始設(shè)備制造商 (OEM)和更廣泛的客戶端市場日益增長的對于
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中國自研Nvme固態(tài)硬盤主控獲得重大突破：讀取達(dá)3375MB/s
- 日前從上游供應(yīng)鏈了解到，中國自研PCIe(NVMe)固態(tài)硬盤主控芯片性能指標(biāo)已獲得實(shí)質(zhì)性技術(shù)突破，從實(shí)測性能看已經(jīng)超過國外同類PCIe主控性能指標(biāo)，主控性能爆棚。據(jù)了解2019年1月美國CES展會期間，該國產(chǎn)PCIe固態(tài)硬盤主控芯片將隨國際知名SSD品牌廠商同臺展出，并正式對外發(fā)布。 國產(chǎn)主控測試性能，從圖中可以看出是1TB的版本，連續(xù)讀取性能3375MB/s，連續(xù)寫入高達(dá)2675MB/s。其中4K性能也極其強(qiáng)大!而且，由于是原型機(jī)，所以后續(xù)應(yīng)該還有優(yōu)化的空間!這個(gè)性能已經(jīng)與可以與國際一線同臺了
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24G SAS和PCIe Gen 4三模式存儲控制器技術(shù) 助力美高森美引領(lǐng)行業(yè)創(chuàng)新
- 對于24G SAS和PCIe Gen 4三模式控制器技術(shù)方面的研究已經(jīng)很多年，并且在不斷地創(chuàng)新發(fā)展中?？紤]到對存儲方案的優(yōu)化，希望將智能存儲帶入新的產(chǎn)品中并得到企業(yè)青睞，2018年8月，美高森美公司充分利用其在24G SAS和PCIe Gen 4三模式控制器技術(shù)方面的行業(yè)領(lǐng)先地位，發(fā)布了SmartROC 3200和SmartIOC 2200存儲控制器。這些新器件包含了專門設(shè)計(jì)的關(guān)鍵技術(shù)，可以滿足下一代數(shù)據(jù)中心對存儲性能和靈活性的嚴(yán)苛要求，試一次重大的行業(yè)創(chuàng)新?！ ∶栏呱罃?shù)據(jù)中心解決方案業(yè)務(wù)部門副總裁
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Marvell推出業(yè)界首款NVMe-oF SSD轉(zhuǎn)換器控制器
- Marvell?今天宣布推出業(yè)界首款面向云和企業(yè)數(shù)據(jù)中心市場的NVMe over Fabric?(NVMe-oF?)固態(tài)硬盤(SSD)轉(zhuǎn)換器控制器88SN2400。這款控制器經(jīng)過精心設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可將NVMe?SSD轉(zhuǎn)換為NVMe-oF SSD，能夠提供革命性的架構(gòu)來增大數(shù)據(jù)中心內(nèi)SSD的利用率和可擴(kuò)展性，最終降低總體擁有成本(TCO)。通過在網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)上實(shí)現(xiàn)低延遲訪問，并將整個(gè)SSD帶寬提供給網(wǎng)絡(luò)，Marvell控制器能夠支持真正的可擴(kuò)展和高性能計(jì)算分類存儲。88SN2400采用簡單、低功耗和無計(jì)算的以
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美高森美宣布推出低延遲、低功耗、高可靠性Gen 4 PCIe交換機(jī)在快速增長的市場中實(shí)現(xiàn)高性能互連
- Microchip Technology Inc.全資子公司 — 宣布現(xiàn)已向早期采用者客戶提供新型Flashtec?NVMe 3016 Gen 4 PCIe控制器的樣品。NVMe 3016是開創(chuàng)先河的業(yè)界首款同類企業(yè)級控制器，夠提供每秒8 GB以上的吞吐量和每秒200多萬次輸入輸出操作(IOPS)的性能，可滿足市場對高可靠性、高性能PCIe Gen 4 NVMe固態(tài)硬盤(SSD)的需求。 這款器件提供端至端企業(yè)級數(shù)據(jù)完整性，通過高可靠性和極強(qiáng)的RAID和ECC以支持用于瞄準(zhǔn)數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器和存儲等高
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慧榮科技推出最新PCIe NVMe SSD控制芯片，超高性能表現(xiàn)引領(lǐng)主流巿場
- 全球閃存控制芯片領(lǐng)導(dǎo)品牌慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation, NasdaqGS: SIMO)于臺北國際電腦展(Computex Taipei)推出一系列最新款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3規(guī)范，并以現(xiàn)場實(shí)測展現(xiàn)驗(yàn)證其優(yōu)越效能，為PCIe SSD定義新標(biāo)準(zhǔn)?；蹣s科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制芯片解決方案，來滿足全方位巿場需求，包括專為超高速Client SSD設(shè)計(jì)的SM2262EN、為主
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西部數(shù)據(jù)推出具備強(qiáng)大NVMe性能的新款游戲固態(tài)硬盤 提升用戶游戲體驗(yàn)
- 與以往的電腦游戲相比，如今的電腦游戲沉浸感日益增強(qiáng)，內(nèi)容更豐富、視覺效果更震撼，而游戲玩家也面臨在電腦硬件方面的各種技術(shù)選擇，以期獲得更好的游戲體驗(yàn)。為了幫助電腦游戲系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大性能、更低功耗以及超長耐用性的結(jié)合， 存儲技術(shù)和解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商-西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC)今日推出新款高性能Western Digital? Black 3D NVMe? SSD。這款固態(tài)硬盤采用西部數(shù)據(jù)獨(dú)有的固態(tài)硬盤架構(gòu)和控制器，可以有效提高電腦應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)讀取速度，讓用戶可以快速獲取、享受和捕捉當(dāng)今的高分
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西部數(shù)據(jù)公司NVMe解決方案推動數(shù)據(jù)在智能邊緣和移動計(jì)算環(huán)境中繁榮發(fā)展
- 存儲技術(shù)和解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商-西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC) 于日前宣布推出兩款全新NVMe?固態(tài)硬盤 -- Western Digital? PC SN720和Western Digital? PC SN520，以滿足物聯(lián)網(wǎng)(IoT)和邊緣上快速數(shù)據(jù)應(yīng)用等領(lǐng)域不斷增長的需求。它們采用了新的NVMe存儲架構(gòu)，在針對從物聯(lián)網(wǎng)到邊緣計(jì)算，再到移動計(jì)算系統(tǒng)的各種新興方案的拓展中，都具備較高的
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NVMe改寫數(shù)據(jù)救援市場游戲規(guī)則
- 數(shù)據(jù)救援公司從幾十年前開始從旋轉(zhuǎn)式磁碟中搶救資訊，他們擔(dān)心快閃存儲器(flash)和固態(tài)硬碟(SSD)的出現(xiàn)可能害得他們退場。相反地，它帶來了新的挑戰(zhàn)。 數(shù)據(jù)救援公司從幾十年前開始從旋轉(zhuǎn)式磁碟中搶救資訊，他們擔(dān)心快閃存儲器(flash)和固態(tài)硬碟(SSD)的出現(xiàn)可能害得他們退場。相反地，它帶來了新的挑戰(zhàn)。 Drivesaver工程總監(jiān)Mike Cobb表示，從flash和SSD中存取數(shù)據(jù)讓每一次的數(shù)據(jù)救援成為客制計(jì)劃。他已經(jīng)在這家公司服務(wù)近24年了，由于IDE平行裝置價(jià)格較SCSI更便宜而
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1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世
- 三星計(jì)劃在明年推出容量達(dá)1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 三星(Samsung)計(jì)劃明年推出容量達(dá)1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達(dá)到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 三星的Tbit NAND可支持高達(dá)每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個(gè)堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達(dá)4
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美光推出全新旗艦級 NVMe 固態(tài)存儲系列，實(shí)現(xiàn)超高數(shù)據(jù)訪問速度
- 美光科技有限公司推出了旗下最新的旗艦級性能固態(tài)存儲產(chǎn)品系列——Micron? 9200 系列 NVMe? 固態(tài)硬盤(SSD)。具備創(chuàng)新型架構(gòu)和行業(yè)領(lǐng)先性能的 Micron 9200系列SSD 使組織能以更快的速度訪問數(shù)據(jù)，并為應(yīng)對趨于多樣化的業(yè)務(wù)關(guān)鍵型工作負(fù)載和激增的數(shù)據(jù)需求提前做好準(zhǔn)備?！ ∪碌拿拦?nbsp;9200系列SSD 兼具 3D NAND 經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的容量與 NVM&n
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