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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> spi nor flash

          中國存儲三大勢力成形 各自進擊

          •   早前報導(dǎo),中國存儲三大勢力成形,目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能,就差合肥團隊還未有相關(guān)消息,現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評結(jié)果曝光,也透露更多發(fā)展信息。   中國發(fā)展存儲成三路進擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動,現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告,也可一窺其在合肥的布局。   合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲  Flash   

          基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

          • 摘要:德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件,是市場上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
          • 關(guān)鍵字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導(dǎo)  SRIO  網(wǎng)絡(luò)  

          基于ARM和以太網(wǎng)的遠程電參數(shù)測量技術(shù)研究

          • 摘要 針對目前各地用電及收費管理不便的問題,文中研究了基于ARM和以太網(wǎng)的遠程電參數(shù)測量技術(shù)。該技術(shù)主要用于對電參數(shù)的采集和存貯。主控制器采用32位的ARM微處理器STM32F103V,接口硬件設(shè)計配合上位機顯示電參數(shù)
          • 關(guān)鍵字: ARM  以太網(wǎng)  電參數(shù)  SPI  LabVIEW  DataSocket  

          FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設(shè)計

          • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計思想。
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    

          便攜式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中ADC的選用指南

          • 真實世界的應(yīng)用需要真實世界的物理連接,一般來說,這意味著模擬信號要在系統(tǒng)內(nèi)的某處被數(shù)字化處理,以便于微處理器、ASIC或FPGA采集數(shù)據(jù)并做出決策?;具x用標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)選擇一款模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)時,大多數(shù)設(shè)計師似
          • 關(guān)鍵字: 模數(shù)轉(zhuǎn)換器    SPI    ASIC    ADC  

          TMS320C6727 DSP兩種引導(dǎo)方式設(shè)計

          • 摘要:文中詳細(xì)描述了TMS320C6727DSP兩種引導(dǎo)方式,并給出了在工程應(yīng)用的實現(xiàn)方法。這兩種方法都避免了在設(shè)計過程中使用外部程序存儲芯片,節(jié)約了布線空間和設(shè)計成本。在引導(dǎo)過程中,主機能夠驗證寫入DSP芯片的數(shù)據(jù),
          • 關(guān)鍵字: DSP  HPI  SPI  引導(dǎo)  

          大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展,對存儲設(shè)備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  02A  1FT    

          使用SPI找到無鉛制造缺陷的根本原因

          • 錫膏印刷在無鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,為印刷過程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點的相關(guān)問題,根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對無鉛對生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
          • 關(guān)鍵字: SPI  無鉛  缺陷  制造    

          如何將“壞塊”進行有效利用

          •   被廣泛應(yīng)用于手機、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應(yīng)用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當(dāng)編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
          • 關(guān)鍵字: Nand Flash  寄存器  

          基于數(shù)字電位計的X射線探測器偏壓調(diào)節(jié)

          • 針對某X射線探測器輸出信號增益需不斷調(diào)節(jié)以滿足后續(xù)信號采集電路的輸入范圍,其偏置電壓需要精細(xì)調(diào)節(jié),文章采用數(shù)字電位計和FPGA設(shè)計了X射線探測器偏置電壓調(diào)節(jié)系統(tǒng)。闡述了所選數(shù)字電位計的參數(shù)、特點及內(nèi)部結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上給出了系統(tǒng)的設(shè)計方案。文章中FPGA采用SPI通信方式對數(shù)字電位計進行配置實現(xiàn)電阻100KΩ共256檔的調(diào)節(jié),最終給出實際測試結(jié)果,驗證了采用數(shù)字電位計實現(xiàn)偏壓調(diào)節(jié)的靈活性。
          • 關(guān)鍵字: X射線探測器  反向偏壓調(diào)節(jié)  數(shù)字電位計  SPI  FPGA  

          STM32再學(xué)習(xí) -- 工程師眼中的SPI

          • 前些天,有位網(wǎng)友談到通過FPGA來實現(xiàn)SPI通訊。通過帖子的回復(fù)發(fā)現(xiàn)好多網(wǎng)友對SPI通訊還有些疑惑,于是今天就帶著大家從SPI的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議,SPI在STM32單片機上的配置及在74HC595邏輯芯片通訊的實例來全方面認(rèn)識一下這個既
          • 關(guān)鍵字: STM32    SPI  

          提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

          • 摘要在嵌入式設(shè)計中,許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備E
          • 關(guān)鍵字: MSP430G  單片機  Flash    

          關(guān)于單片機中的flash和eeprom

          • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
          • 關(guān)鍵字: 單片機  flash  eeprom  

          NAND FLASH扇區(qū)管理

          • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page),64個頁(page)組成1個塊(block),4096個塊(block)構(gòu)成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  扇區(qū)管理  

          JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)設(shè)計中的具體應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: JEDEC  Flash  JESD    
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          spi nor flash介紹

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