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TI為何把首款GaN FET定位于汽車和工業(yè)應(yīng)用

GaN（氮化鎵）作為新一代半導(dǎo)體材料，正有越來越廣泛的應(yīng)用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業(yè)電源，可以實(shí)現(xiàn)2倍的功率密度和高達(dá)99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業(yè)方面的機(jī)會(huì)？此次GaN FET的突破性技術(shù)是什么？為此，電子產(chǎn)品世界記者線上采訪了TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom。TI高壓電源應(yīng)用產(chǎn)品業(yè)務(wù)部GaN功率器件產(chǎn)品線經(jīng)理Steve Tom1? ?GaN在電源領(lǐng)
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5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小。可在高頻率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無(wú)需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
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電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94：倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加，對(duì)所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對(duì)于這些應(yīng)用程序，最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí)，反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開關(guān)，用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會(huì)接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對(duì)于離線電源來說，反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案，因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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對(duì)更高功率密度的需求推動(dòng)電動(dòng)工具創(chuàng)新解決方案

電動(dòng)工具中直流電機(jī)的配置已從有刷直流大幅轉(zhuǎn)向更可靠、更高效的無(wú)刷直流（BLDC）解決方案轉(zhuǎn)變。斬波器配置等典型有刷直流拓?fù)渫ǔ８鶕?jù)雙向開關(guān)的使用與否實(shí)現(xiàn)一個(gè)或兩個(gè)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。另一方面，三相BLDC配置需要三個(gè)半橋或至少六個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管（FET），因此從有刷電流轉(zhuǎn)向無(wú)刷電流意味著全球電動(dòng)工具FET總區(qū)域市場(chǎng)增長(zhǎng)了3到6倍（見圖1）。圖1：從有刷拓?fù)滢D(zhuǎn)換到無(wú)刷拓?fù)湟馕吨鳩ET數(shù)量出現(xiàn)了6倍倍增但BLDC設(shè)計(jì)在這些FET上提出了新的技術(shù)要求。例如，若電路板上FET的數(shù)量6倍倍增
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看看國(guó)外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

　　每年十二月，在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇，在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
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集成智能——第1部分：EMI管理

　　智能集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)可以幫助電動(dòng)汽車和新一代汽車變得更具吸引力、更可行及更可靠?！　D1所示為集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切要素，如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)。集成避免了電線從電子控制單元(ECU)到電機(jī)的布線距離過長(zhǎng)，并還具有更小印刷電路板(PCB)尺寸和更低整體系統(tǒng)成本的優(yōu)點(diǎn)?！　LDC電機(jī)在汽車應(yīng)用中提供的優(yōu)勢(shì)包括效率、緊湊的尺寸、更長(zhǎng)的電機(jī)壽命和電池壽命、更安靜的車內(nèi)體驗(yàn)以及更好的EMI性能?！　D1：智能集成BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器　　集成智能系列博
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具有低輸入偏置電流和高交流共模抑制性能的高速FET輸入儀表放大器

關(guān)鍵字： ADI FET 儀表放大器

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個(gè)寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構(gòu)成的。這個(gè)寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
關(guān)鍵字： FET 雙極性晶體管緩沖電路寬帶

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

如何保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響-　在使用電子元器件時(shí)，你有時(shí)候不可避免地會(huì)聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運(yùn)行；從輸出到輸入。幸運(yùn)的是，有很多方法可以保護(hù)你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護(hù)系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠?qū)ΜF(xiàn)有解決方案有高層次的總體認(rèn)識(shí)和了解。
關(guān)鍵字： FET TPS22963 德州儀器反向電流

揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設(shè)備具有更高的移動(dòng)性并且比以前更綠色，電池技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)了這一進(jìn)展，并惠及了包括便捷式電動(dòng)工具、插電式混合動(dòng)力車、無(wú)線揚(yáng)聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動(dòng)汽車。隨著技術(shù)的最新進(jìn)展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動(dòng)汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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FET知識(shí)：采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

　　與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級(jí)FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構(gòu)成CR的連接方式。此時(shí)，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關(guān)系，就需要偏置電路來提供柵極電壓?！　∨c晶體管放大電路的接地方式相同，結(jié)型FET放大電路也有多種接地方式。　　最一般的源極接地電路和自偏置電路　　n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反?！　ET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結(jié)型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

該電路采用衰減場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)分流信號(hào)到地面。這個(gè)R2是用來控制輸出級(jí)(衰減等級(jí)),但是你可以用其他來源的電壓信號(hào)來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負(fù)面的信號(hào)電壓會(huì)(你可以用DAC采用對(duì)稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
關(guān)鍵字： FET 壓控衰減器

單片機(jī)設(shè)計(jì)注意要點(diǎn)

首先介紹一下這樣做的優(yōu)點(diǎn)：采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機(jī)滿足時(shí)序的要求，這樣單片機(jī)的工作電流可以變得更低，最重要的是VDD到VSS的電流峰值會(huì)更小。
關(guān)鍵字：單片機(jī) FET 穿通電流工作頻率

學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

　　導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體　　硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。　　　　根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造，可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。　　半導(dǎo)體的電流流通原理　　(1) N型半導(dǎo)體　　圖1是在硅晶
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) FET