在上個月舉行的ISC 2021上，英特爾介紹了一系列的技術(shù)，并確認Sapphire Rapids Xeon處理器可配置HBM內(nèi)存。通過加入HBM內(nèi)存，可以顯著提升內(nèi)存帶寬，并提升運行內(nèi)存帶寬敏感型工作負載的HPC應用程序的性能。如果沒有搭配DDR5內(nèi)存的情況下，可以作為主內(nèi)存使用，若與DDR5內(nèi)存結(jié)合，則可作為L4緩存使用。有消息指，Sapphire Rapids Xeon處理器最多可配備56個核心，以及64GB的HBM2e內(nèi)存，通過EMIB技術(shù)互聯(lián)。

當然，英特爾Sapphire Rapids Xeon處理器并不是第一個選擇HBM作為內(nèi)存使用的廠商。目前排名第一的超級計算機Fugaku使用的富士通A64FX處理器，板載了32GB的HBM2內(nèi)存作為主內(nèi)存，處理器與HBM2內(nèi)存之間通過使用中間模塊連接，結(jié)構(gòu)類似于現(xiàn)在的GPU，而且沒有額外配置DDR4內(nèi)存。

據(jù)Inpact-Hardware報道，AMD也在計劃代號Genoa的EPYC處理器上推出搭載HBM內(nèi)存的型號，以應對配置HBM內(nèi)存的Sapphire Rapids Xeon處理器。不過AMD仍在與合作伙伴討論這個問題，似乎還沒有做最后的決定。為客戶在基于Zen 4架構(gòu)的產(chǎn)品上保留這樣的方案問題不大，但也有可能最終是大容量3D V-Cache的方案。

傳聞AMD會在Zen 4架構(gòu)產(chǎn)品推出前，還有一款代號Milan-X的EPYC處理器。這與桌面平臺上加入3D V-Cache的Zen 3架構(gòu)Ryzen處理器類似，通過3D堆疊技術(shù)提高緩存效率。這也讓大家對AMD未來會采用什么方法集成HBM內(nèi)存產(chǎn)生了興趣，除了傳統(tǒng)的片外方式，也可能通過3D堆疊技術(shù)實現(xiàn)。