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          新潔能擬募資14.5億元,提前布局SiC/GaN功率器件領(lǐng)域

          發(fā)布人:旺材芯片 時間:2021-11-14 來源:工程師 發(fā)布文章
          11月11日,無錫新潔能股份有限公司(以下簡稱“新潔能”)發(fā)布2021年度非公開發(fā)行A股股****預(yù)案公告,擬募集資金14.5億元,加碼第三代半導(dǎo)體功率器件。


          據(jù)披露,新潔能此次募集資金在扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額全部用于投資第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、功率驅(qū)動IC及智能功率模塊(IPM)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊(含車規(guī)級)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及補(bǔ)充流動資金。
          當(dāng)前,半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)正在發(fā)生深刻的變革,其中新材料成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的新材料半導(dǎo)體受到行業(yè)關(guān)注,被廣泛應(yīng)用于新能源車、軌道交通、5G****、航空航天等領(lǐng)域。
          《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價值白皮書》指出,2019年我國第三代半導(dǎo)體市場規(guī)模為94.15億元,預(yù)計2019-2022年將保持85%以上平均增長速度,到2022年市場規(guī)模將達(dá)到623.42億元。
          而另一方面,目前美歐、日韓及臺灣等地區(qū)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)SiC、GaN等新材料半導(dǎo)體功率器件的量產(chǎn)。國內(nèi)行業(yè)內(nèi)企業(yè)亦依托國家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)扶持,也已開始布局新型半導(dǎo)體材料領(lǐng)域。
          新潔能表示,通過本募投項目的實(shí)施,有助于公司順應(yīng)半導(dǎo)體功率器件行業(yè)發(fā)展趨勢,提前布局SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級,從而進(jìn)一步強(qiáng)化公司在半導(dǎo)體功率器件高端應(yīng)用市場的核心競爭力,縮小與國際半導(dǎo)體功率器件一流企業(yè)的技術(shù)差距,從而提高國際競爭力。
          來源:全球半導(dǎo)體觀察


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