【熱點(diǎn)速讀】

1、三星：計(jì)劃2023年初推出32Gb DDR5，2024年推出1TB內(nèi)存模塊；

2、外媒稱(chēng)高通將重返服務(wù)器芯片市場(chǎng)；

3、韓媒：三星電子庫(kù)存資產(chǎn)首次超過(guò)50萬(wàn)億韓元，同比增產(chǎn)55%；

4、三星下調(diào)10-11月智能手機(jī)出貨量，明顯低于去年同期；

5、半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料第三季營(yíng)收創(chuàng)新高，產(chǎn)品仍供不應(yīng)求；

6、兆易創(chuàng)新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列；

1、三星：計(jì)劃2023年初推出32Gb DDR5，2024年推出1TB內(nèi)存模塊

據(jù)外媒報(bào)道，為了支持 AMD 和 Intel 推出下一代服務(wù)器平臺(tái)，三星計(jì)劃推出一系列全新的 DDR5 服務(wù)器內(nèi)存模塊，配備業(yè)界首款 512GB RDIMM/LRDIMM，并基于16Gb 和 24Gb DDR5芯片。三星 DDR5 創(chuàng)新的下一步——32Gb IC——將在 2023 年初推出，并計(jì)劃在2023年底或2024年初制造1TB內(nèi)存模塊。與此同時(shí)，三星打算在兩年內(nèi)發(fā)布數(shù)據(jù)傳輸速率為7200 MT/s的產(chǎn)品。

報(bào)道稱(chēng)，三星32Gb DDR5 [IC] 目前正在一個(gè)新的 [under-14nm] 工藝節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)，并計(jì)劃于明年初推出，基于 32Gb 的 UDIMM 將于明年年底或 2024 年初上市。屆時(shí)三星可能會(huì)正式推出其基礎(chǔ)上的第一款產(chǎn)品——用于客戶(hù)端 PC 的 32GB 無(wú)緩沖 DIMM。隨后，三星將展示其 1TB DDR5 內(nèi)存模塊，該模塊將使用 32 個(gè) 8-Hi 32GB 堆棧，并將針對(duì) 2024 年至 2025 年時(shí)間框架內(nèi)的服務(wù)器平臺(tái)。 

2、外媒稱(chēng)高通將重返服務(wù)器芯片市場(chǎng)

據(jù)外媒報(bào)道，美國(guó)芯片大廠高通準(zhǔn)備在服務(wù)器芯片市場(chǎng)卷土重來(lái)，瓜分這個(gè)高成長(zhǎng)產(chǎn)業(yè)的280億美元商機(jī)，并降低自己對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)的依賴(lài)。

消息人士指出，高通正為去年以斥資 14 億美元收購(gòu)的 CPU 新創(chuàng) Nuvia 產(chǎn)品尋找新客戶(hù)，以重振該公司在服務(wù)器領(lǐng)域的雄心。目前高通已與亞馬遜的 AWS (云端運(yùn)算服務(wù)) 業(yè)務(wù)接洽當(dāng)中，亞馬遜已同意考慮高通的產(chǎn)品提案。

高通 CEO Cristiano Amon曾表示，Nuvia 技術(shù)可應(yīng)用于其智能手機(jī)、筆記本電腦和汽車(chē)處理器。不過(guò)，Nuvia 最先成立的目標(biāo)是研發(fā)基于 ARM 架構(gòu)、用于數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器芯片，希望從英特爾、AMD和 Nvidia手中分得一杯羹。

高通重返服務(wù)器業(yè)務(wù)將需要與先前的潛在客戶(hù)重建信任，如果這此成功的話(huà)，潛在獲利規(guī)模可能相當(dāng)大，因?yàn)閱蝹€(gè)高階服務(wù)器芯片就要價(jià)超過(guò) 1 萬(wàn)美元。

3、韓媒：三星電子庫(kù)存資產(chǎn)首次超過(guò)50萬(wàn)億韓元，同比增產(chǎn)55%

隨著全球通脹，對(duì)經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂(yōu)正在顯現(xiàn)，大公司中長(zhǎng)期庫(kù)存明顯增加。這是因?yàn)?，隨著下游需求急劇收縮，不僅是成品，而且導(dǎo)致零件的管道的庫(kù)存消耗放緩。

據(jù)韓媒報(bào)道，截至今年上半年，三星電子庫(kù)存為52.92萬(wàn)億韓元，首次突破50萬(wàn)億韓元大關(guān)。與去年同期（335,924億韓元）相比，增長(zhǎng)了55.1%。SK海力士庫(kù)存增加33.2%至118,787億韓元，LG電子增加16.3%至96,844億韓元。

報(bào)道稱(chēng)，三星電子已將電視等視頻設(shè)備生產(chǎn)線的利用率從第一季度（1-3月）的84.3%下調(diào)至第二季度的63.7%，將手機(jī)產(chǎn)線的利用率從81.0%下調(diào)至70.2%。

4、三星下調(diào)10-11月智能手機(jī)出貨量，明顯低于去年同期

據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，三星已下調(diào)10-11月智能手機(jī)合計(jì)出貨量至3400萬(wàn)支，這一數(shù)字明顯低于2021年同期及上一季出貨量。由于三星持續(xù)下調(diào)Q4手機(jī)產(chǎn)量與零組件訂單量，韓媒預(yù)估，2022年全年，三星智能手機(jī)出貨量可能只有2.6億支，較年中下修后的預(yù)估量（3億支）又再降低13.3％，也低于2021年出貨量約2.7億支，僅勉強(qiáng)高于2020年。

5、半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料第三季營(yíng)收創(chuàng)新高，產(chǎn)品仍供不應(yīng)求

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周四美股盤(pán)后，半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料（Applied Materials）公布2022會(huì)計(jì)年度第3季（截至2022年7月31日）財(cái)報(bào)。報(bào)告內(nèi)，公司營(yíng)收為65.20億美元，同比增長(zhǎng)5%，創(chuàng)下歷史新高。

應(yīng)用材料表示，產(chǎn)品仍處于供不應(yīng)求狀態(tài)、積壓訂單持續(xù)攀高，未來(lái)數(shù)季仍將受制于供給面因素。目前看來(lái)，2022年晶圓廠設(shè)備支出約950億美元，公司2022年度晶圓廠設(shè)備營(yíng)收預(yù)估將增長(zhǎng)約15%。

6、兆易創(chuàng)新推出1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品系列

兆易創(chuàng)新宣布推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash產(chǎn)品——GD25UF系列。該系列在數(shù)據(jù)傳輸速度、供電電壓、讀寫(xiě)功耗等關(guān)鍵性能指標(biāo)上均達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，在針對(duì)智能可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備或其它單電池供電的應(yīng)用中，能顯著降低運(yùn)行功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。

兆易創(chuàng)新GD25UF產(chǎn)品系列工作電壓可擴(kuò)展至1.14~1.6V，具有單通道、雙通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量選擇，能夠滿(mǎn)足智能設(shè)備所需的代碼存儲(chǔ)要求。

同時(shí)，為進(jìn)一步滿(mǎn)足低功耗的需求，GD25UF產(chǎn)品系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式。在Normal Mode下，器件讀取電流在四通道120MHz的頻率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件讀取電流在四通道1MHz頻率下低至0.5mA，擦寫(xiě)電流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。

相比于1.8V供電的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同電流情況下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同頻率下的功耗降低了70%，有效延長(zhǎng)了設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。