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          華為硬件技術(shù)工程師面試機(jī)考試題及答案

          發(fā)布人:電巢 時(shí)間:2022-10-16 來源:工程師 發(fā)布文章

          華為硬件技術(shù)工程師面試機(jī)考試題及答案

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          一、是非題 [8x4]

          1、( )DRAM 上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全0,而 Flash 上電時(shí)存儲單元的內(nèi)容是全1。

          2、( )眼圖可以用來分析高速信號的碼間干擾、抖動(dòng)、噪聲和衰減。

          3、( )以太網(wǎng)交換機(jī)將沖突域限制在每個(gè)端口,提高了網(wǎng)絡(luò)性能。

          4、( )放大電路的輸出信號產(chǎn)生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。

          5、( )1 的 8 位二進(jìn)制補(bǔ)碼是 0000_0001,-1的 8 位二進(jìn)制補(bǔ)碼是 1111_1111 。

          6、( )洗衣機(jī),電冰箱等家用電器都使用三孔插座, 是因?yàn)槿绻唤拥兀?家用電器是不能工作的。

          7、( )十進(jìn)制數(shù)據(jù) 0x5a 與 0xa5 的同或運(yùn)算結(jié)果為: 0x00。

          8、( )硅二極管的正向?qū)▔航当孺N二極管的大。

          .

          二、單選題 [17x4]

          1、一空氣平行板電容器, 兩級間距為 d,充電后板間電壓為 u。然后將電源斷開,在平板間平行插入一厚度為 d/3 的金屬板。 此時(shí)電容器原板間電壓變?yōu)?/span>

          A.U/3 B.2U/3 C.3U/4 D.不變


          2、8086CPU 內(nèi)部包括哪些單元

          A.ALU,EU B.ALU,BIU C.EU,BIU D.ALU,EU,BIU


          3、為了避免 50Hz 的電網(wǎng)電壓干擾放大器,應(yīng)該用那種濾波器:

          A.帶阻濾波器 B.帶通濾波器 C.低通濾波器 D.高通濾波器


          4、關(guān)于 SRAM 和 DRAM,下面說話正確的是:

          A.SRAM 需要定時(shí)刷新,否則數(shù)據(jù)會丟失;

          B.DRAM 使用內(nèi)部電容來保存信息;

          C.SRAM的集成度高于 DRAM;

          D.只要不掉電, DRAM 內(nèi)的數(shù)據(jù)不會丟失;


          5、在 RS232串口中, 采用哪一種校驗(yàn)方式:

          A.CRC校驗(yàn) B.海明碼校驗(yàn) C.多種校驗(yàn)方式的組合 D.奇偶校驗(yàn)


          6、對于 D 觸發(fā)器來說, 為了保證可靠的采樣, 數(shù)據(jù)必須在時(shí)鐘信號的上升沿到來之前繼續(xù)穩(wěn)定一段時(shí)間,這個(gè)時(shí)間稱為

          A.保持時(shí)間 B.恢復(fù)時(shí)間 C.穩(wěn)定時(shí)間 D.建立時(shí)間


          7、本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N 型半導(dǎo)體

          A.五價(jià) B.四價(jià) C.三價(jià) D.二價(jià)


          8、模擬信號數(shù)字化的過程是

          A.采樣 ->量化 ->編碼 B.采樣 ->編碼 ->量化

          C.編碼 ->采樣 ->量化 D.量化 ->編碼 ->采樣


          9、在 Buck 電路中,不能起到減小紋波作用的措施是

          A.采用多項(xiàng)并聯(lián)的模式;

          B.開關(guān)管內(nèi)置,提高電源的開關(guān)頻率;

          C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容;

          D.增大輸出濾波電感量。


          10、圖示電路中 a、 b 端的等效電阻 Rab在開關(guān) K 打開與閉合時(shí)分別為:

          A.10 Ω, 8Ω B.8 Ω, 10Ω C.10 Ω, 10Ω D.10 Ω, 16Ω

          image.png


          11、關(guān)于 PCI總線的描述,錯(cuò)誤的是

          A.PCI 總線是一個(gè) 16 位寬的總線;

          B.PCI的地址線與數(shù)據(jù)線是復(fù)用的;

          C.PCI 是一種獨(dú)立于處理器的總線標(biāo)準(zhǔn),可以支持多種處理器;

          D.PCI支持即插即用功能總線寬度為 32/64 位。



          12、中繼器、以太網(wǎng)交換機(jī)、路由器分別工作在 OSI模型的哪位層次上:

          A.物理層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層 B.物理層、網(wǎng)絡(luò)層、鏈路層

          C.物理層、鏈路層、傳輸層 D.鏈路層、鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層



          13、某電路,對100KHz 以下低頻信號干擾敏感,為減少干擾,應(yīng)采用()濾波器。

          A.高通 B.低通 C.帶阻 D.帶通


          14、捕捉毛刺用最佳觸發(fā)方式()進(jìn)行觸發(fā)

          A.Width B.Edge C.Glitch D.State


          15、以下哪種信號異常能用邏輯分析儀測試:

          A.信號占空比超標(biāo) B.信號上升緩慢

          C.6 個(gè)信號的異常組合 D.信號抖動(dòng)過大


          16、8421 碼 10010111 表示的十進(jìn)制數(shù)是:

          A.98 B.151 C.97 D.227


          17、晶體管能夠放大的外部條件是:

          A.****結(jié)反偏,集電結(jié)正偏 B.****結(jié)正偏,集電結(jié)正偏

          C.****結(jié)反偏,集電結(jié)反偏 D.****結(jié)正偏,集電結(jié)反偏


          答案與解析


          一、是非題 [8x4]

          1、(N)【解析】FLASH可保存

          2、(N)

          3、(Y)

          4、(N)

          5、(Y)

          6、(N)

          7、(Y)

          8、(Y)

          .

          二、單選題 [17x4]

          1、B.2U/3

          【解析】

          電容的大小不是由Q(帶電量)或 U(電壓)決定的,即:C=εS/4πkd。(ε是一個(gè)常數(shù), S 為電容極板的正對面積, d 為電容極板的距離, k 則是靜電力常量。)而常見的平行板電容器電容為 C=εS/d. (ε為極板間介質(zhì)的介電常數(shù),S為極板面積, d 為極板間的距離。)電容器的電勢能計(jì)算公式:E=CU^2/2=QU/2。

          2、C.EU,BIU

          【解析】

          80x86 從功能上分執(zhí)行單元EU(Execution Unit) 和總線接口單元 BIU(Bus InteRFace Unit) ,執(zhí)行單元由 8 個(gè) 16 位通用寄存器, 1 個(gè) 16 位標(biāo)志寄存器, 1 個(gè) 16 位暫存寄存器, 1 個(gè) 16 位算術(shù)邏輯單元 ALU及 EU控制電路組成??偩€接口單元由 4 個(gè) 16 位段寄存器( CS,DS,SS,ES) ,1 個(gè) 16 位的指令指針寄存器, 1 個(gè)與 EU通信的內(nèi)部暫存器, 1 個(gè)指令隊(duì)列, 1 個(gè)計(jì)算 20 位物理地址的加法器∑及總線控制電路構(gòu)成。


          3、A.帶阻濾波器


          4、B.DRAM 使用內(nèi)部電容來保存信息

          【解析】

          SRAM和 DRAM都是隨機(jī)存儲器,機(jī)器掉電后,兩者的信息都將丟失。它們的最大區(qū)別就是:DRAM是用電容有無電荷來表示信息 0 和 1,為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯(cuò),需要周期性地給電容充電,即刷新;而 SRAM是利用觸發(fā)器的兩個(gè)穩(wěn)態(tài)來表示信息 0 和 1, 所以不需要刷新。 另外, SRAM的存取速度比 DRAM更高,常用作高速緩沖存儲器Cache。


          5、D.奇偶校驗(yàn)


          6、D.建立時(shí)間

          【解析】

          setup/hold time 是測試芯片對輸入信號和時(shí)鐘信號之間的時(shí)間要求 . 建立時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號上升沿到來以前數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間輸入信號應(yīng)提前時(shí)鐘上升沿 ( 如上升沿有效 )T 時(shí)間到達(dá)芯片 這 個(gè) T 就 是 建 立 時(shí) 間 -Setup time. 如不 滿 足setup time, 這個(gè)數(shù)據(jù)就不能被這一時(shí)鐘打入觸發(fā)器只有在下一個(gè)時(shí)鐘上升沿?cái)?shù)據(jù)才能被打入觸發(fā)器保持時(shí)間是指觸發(fā)器的時(shí)鐘信號上升沿到來以后數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時(shí)間如果 hold time 不夠數(shù)據(jù)同樣不能被打入觸發(fā)器建立時(shí)間 (Setup Time) 和保持時(shí)間 (Hold time).建立時(shí)間是指在時(shí)鐘邊沿前數(shù)據(jù)信號需要保持不變的時(shí)間保持時(shí)間是指時(shí)鐘跳變邊沿后數(shù)據(jù)。


          7、本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N 型半導(dǎo)體

          A.五價(jià)


          8、A.采樣 ->量化 ->編碼


          9、C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容


          10、C.10 Ω, 10Ω


          11、A.PCI 總線是一個(gè) 16 位寬的總線


          12、C.物理層、鏈路層、傳輸層

          【解析】

          物理層 : 將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為可通過物理介質(zhì)傳送的電子信號 相當(dāng)于郵局中的搬運(yùn)工人

          鏈路層 : 決定訪問網(wǎng)絡(luò)介質(zhì)的方式在此層將數(shù)據(jù)分幀,并處理流控制。本層 指定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并提供硬件尋 址。相當(dāng)于郵局中的裝拆箱工人

          網(wǎng)絡(luò)層 : 使用權(quán)數(shù)據(jù)路由經(jīng)過大型網(wǎng)絡(luò) 相當(dāng)于郵局中的排序工人傳輸層 : 提供終端到終端的可靠連接 相當(dāng)于公司中跑郵局的送信職員

          會話層 : 允許用戶使用簡單易記的名稱建立連接相當(dāng)于公司中收寄信、寫信封與拆信封的秘書

          表示層 : 協(xié)商數(shù)據(jù)交換格式 相當(dāng)公司中簡報(bào)老板、替老板寫信的助理

          應(yīng)用層 : 用戶的應(yīng)用程序和網(wǎng)絡(luò)之間的接口老板


          13、A.高通


          14、C.Glitch


          15、A.信號占空比超標(biāo)


          16、C.97


          17、D.****結(jié)正偏,集電結(jié)反偏


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