2.4G頻段的SI24R2E無(wú)線單發(fā)芯片技術(shù)問(wèn)答,常見(jiàn)問(wèn)題進(jìn)行匯總解答
2.4G頻段的無(wú)線單發(fā)芯片技術(shù)問(wèn)答,常見(jiàn)問(wèn)題進(jìn)行匯總解答
針對(duì)2.4G頻段的無(wú)線單發(fā)芯片——SI24R2E,在開(kāi)發(fā)過(guò)程中會(huì)遇到的常見(jiàn)問(wèn)題進(jìn)行匯總解答。
雖說(shuō)Si24R2E布局走線非常簡(jiǎn)單,是否有提供建議參考,可以避免一些誤區(qū)?
芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)上有標(biāo)準(zhǔn)的參考原理圖,同時(shí)我們會(huì)提供一份《Si24R2E硬件設(shè)計(jì)指南》,避免客戶(hù)在設(shè)計(jì)過(guò)程中的一些問(wèn)題,減少后期調(diào)試改板等工作。
我看到大多數(shù)Si24R2E的板子上都會(huì)加一顆100uf的鉭電容,具體作用是什么?
因?yàn)镾i24R2E主要針對(duì)是低功耗有源標(biāo)簽應(yīng)用,一般是紐扣電池供電,加100uf鉭電容可以有效穩(wěn)定供電,同時(shí)保護(hù)電池延長(zhǎng)電池壽命。
Si24R2E SPI 輸入口必須強(qiáng)制10K電阻上拉,否則靜態(tài)電流異常。如果這個(gè)10K上拉電阻沒(méi)有加,會(huì)有什么影響?
靜態(tài)電流會(huì)大一些。對(duì)于芯片的燒錄以及芯片的燒錄均沒(méi)有影響,但是我們強(qiáng)烈建議加上這幾個(gè)10K上拉電阻,主要還是穩(wěn)定性更好。
Si24R2E是如何進(jìn)行芯片燒錄的?是否可以外掛MCU控制?
正常是通過(guò)我司提供的PC端芯片燒錄上位機(jī)編程器進(jìn)行程序的下載,測(cè)試與量產(chǎn)都非常的方便。同時(shí)也支持外接MCU控制。
Si24R2E/Si24R2F/Si24R2H,三款產(chǎn)品有什么區(qū)別?
三款芯片均是脫胎于Si24R1,主要的區(qū)別是針對(duì)應(yīng)用領(lǐng)域不同,所以功能有所差異。
Si24R2F兼容Si24R2E情況下新增了部分功能:
1.自動(dòng)****模式下,最多支持4個(gè)不同信道輪詢(xún)****;
2.集成溫度監(jiān)測(cè)和報(bào)警功能(開(kāi)啟溫度監(jiān)測(cè),每次****數(shù)據(jù)都會(huì)包含芯片工作環(huán)境溫度數(shù)據(jù));
3.支持按鍵****功能;
4.支持****數(shù)據(jù)加密。
Si24R2H相比Si24R2E有幾個(gè)較大的區(qū)別:
1.R2H功率要高于R2E。分別是12dBm和7dBm;
2.封裝不一樣,分別是R2H QFN32和R2E QFN20;
3.R2H內(nèi)置125K,R2E則沒(méi)有;
4.跳頻通道不一樣,R2H只支持4通道跳頻,R2E只支持3通道跳頻;
5.內(nèi)置NVM寄存器燒寫(xiě)次數(shù)不一樣,R2H可燒寫(xiě)次數(shù)較少為32次,R2E為128次;
6.R2H支持?jǐn)?shù)據(jù)加密功能,R2E則不支持;
7.R2H支持內(nèi)部測(cè)溫,NTC測(cè)溫,外掛溫濕度傳感器。R2E則不支持。
如果您還有其他技術(shù)問(wèn)題未得到解決,可以在評(píng)論區(qū)留言一起交流,我們有專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)給您提供強(qiáng)大的技術(shù)支持!
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