LDO的噪聲分為LDO內(nèi)部的噪聲和LDO外部的噪聲。LDO內(nèi)部的噪聲來自于內(nèi)部電路的帶隙基準(zhǔn)源（bandgap reference）、放大器以及晶體管。LDO外部的噪聲來自于輸入。在LDO的手冊中，PSRR（Power Supply Rejection Ratio/PowerSupply Ripple Rejection）是表征LDO抑制外部噪聲的能力，但PSRR高并不代表LDO內(nèi)部噪聲小。LDO的總輸出噪聲才是表征LDO內(nèi)部噪聲抑制的參數(shù)，一般在電氣特性表里用單位μVRMS表示，或者在噪聲頻譜密度圖上表示。

內(nèi)部噪聲源包括帶隙基準(zhǔn)源產(chǎn)生的噪聲VN(REF)，誤差放大器產(chǎn)生的噪聲VN(AMP)，F(xiàn)ET產(chǎn)生的噪聲VN(FET)以及反饋電阻產(chǎn)生的噪聲VN(R1)和VN(R2)。在大多數(shù)情況下，由于帶隙基準(zhǔn)源電路是由很多不同的電阻、晶體管和電容組成，它所產(chǎn)生的噪聲會遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于反饋電阻產(chǎn)生的噪聲。而且?guī)痘鶞?zhǔn)源是誤差放大器的輸入，它所產(chǎn)生的噪聲也會經(jīng)由誤差放大器放大來控制FET，所以誤差放大器本身以及FET所產(chǎn)生的噪聲也會比帶隙基準(zhǔn)源的噪聲要低?？梢哉f，LDO內(nèi)部最大的噪聲源就是帶隙基準(zhǔn)源。