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          EMC教程系列之電場耦合

          發(fā)布人:電子資料庫 時(shí)間:2023-01-28 來源:工程師 發(fā)布文章

          當(dāng)能量通過電場從一個(gè)電路耦合到另一個(gè)電路時(shí),就會(huì)發(fā)生電場耦合(也稱為電容耦合)。正如我們將看到的,當(dāng)源電路的阻抗很高時(shí),這種情況最有可能發(fā)生。

          考慮兩個(gè)電路共用一個(gè)公共回路平面,如圖1所示。如果回路平面的電阻為零,則公共阻抗耦合為零。然而,由于從一條信號(hào)線開始,在另一條信號(hào)線上終止的電場線也可能在兩個(gè)電路之間發(fā)生耦合。例如,如果其中一個(gè)信號(hào)電壓為1V,另一個(gè)信號(hào)電壓為0V,則兩條信號(hào)線之間的電位差會(huì)導(dǎo)致電場線從1V導(dǎo)線開始,在0V導(dǎo)線上終止。從原理上講,這可以用兩條信號(hào)線之間的電容來表示。

          當(dāng)然,還有其他的電場線從1V導(dǎo)線開始,在0V平面上終止。這可以用導(dǎo)線和平面之間的電容來表示。圖2示出了圖1中包括電場耦合電容的兩個(gè)電路的示意圖。

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          圖1:信號(hào)返回平面上方的兩個(gè)電路。

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          圖2:圖1中包括電容耦合路徑的電路示意圖。

          在這種情況下,導(dǎo)線之間的電容C12很容易用兩條導(dǎo)線之間的電容公式計(jì)算,電容c11和c22可以用接地層上方導(dǎo)線的電容公式計(jì)算。一旦確定了電容,并且將值分配給圖2中的所有元件,就可以使用用于公共阻抗耦合的相同基本公式來計(jì)算由于電場耦合而產(chǎn)生的串?dāng)_,

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          如果我們試圖找到精確的解決方案,分析這個(gè)電路與9個(gè)元素的過程可能會(huì)很費(fèi)時(shí)。然而,如果我們重新繪制電路,并利用一些阻抗的相對(duì)大小,我們可以大大簡化分析。

          首先,讓我們重新繪制圖2中的電路,如圖3所示。通過將電路1放在示意圖的左側(cè),將電路2放在右側(cè),重要的耦合C12就更清晰了。此外,認(rèn)識(shí)到自電容C11和C22的阻抗幾乎總是比它們并聯(lián)的負(fù)載阻抗高得多也是有幫助的。如果這不是真的,到達(dá)負(fù)載的信號(hào)將顯著衰減。因此,在求解圖3中的電路時(shí),我們通??梢院雎訡11和C22。

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          圖3:圖1中電路的更直觀的示意圖。

          為了計(jì)算由電路1中的信號(hào)引起的電路2中的串?dāng)_,我們設(shè)置vs2=0并確定比率vrl2/VRL1。如果耦合相對(duì)較弱(即,如果耦合沒有向下加載源電路),則C12的阻抗相對(duì)于電路1中的阻抗較大。這意味著VRL1的值與電路2的參數(shù)無關(guān),電路可以用圖4所示的簡單形式表示。

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          圖4:圖1中電路的更簡單的表示。

          現(xiàn)在這個(gè)電路比較容易解決。串?dāng)_可以表示為,

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          方程2

          例5-1:計(jì)算兩個(gè)150歐姆電路之間的串?dāng)_

          對(duì)于圖1和圖2中的電路,假設(shè)信號(hào)線高出導(dǎo)電平面4.0 mm,長16 cm。假設(shè)導(dǎo)線半徑為0.8 mm,導(dǎo)線之間的間距為3.0 mm。設(shè)RS1=RS2=10歐姆,RL1=RL2=150歐姆。計(jì)算這些電路在50mhz時(shí)由于電場耦合而產(chǎn)生的串?dāng)_。

          我們首先確定電容C11、C22和C12。平面上每根導(dǎo)線的電容約為,

          image.png

          方程3

          兩根導(dǎo)線之間的電容大約為,

          image.png

          方程4

          C11和C22在50 MHz時(shí)的阻抗為| 1/jΩC |=800歐姆。由于這遠(yuǎn)高于150歐姆的電路阻抗,我們可以忽略這些電容。耦合電容的阻抗為| 1/jΩC |=890歐姆。這也比電路阻抗大得多,因此我們可以用方程(2)來計(jì)算串?dāng)_,

          image.png

          方程5

          在這種情況下,注意改變各種電路參數(shù)將如何改變耦合是很有幫助的。例如,加倍頻率會(huì)加倍串?dāng)_(即,在100 MHz時(shí),計(jì)算的串?dāng)_為-34 dB)。對(duì)于弱耦合情況,電場耦合與頻率成正比。

          在本例中,將受害電路的源電阻加倍也會(huì)使串?dāng)_加倍。注意,源電阻和負(fù)載電阻的并聯(lián)組合幾乎等于源電阻。在本例中,將負(fù)載電阻加倍對(duì)串?dāng)_影響不大,因?yàn)橹匾氖鞘芎﹄娐分性措娮韬拓?fù)載電阻的并聯(lián)組合。

          本例中的另一個(gè)重要參數(shù)是互電容C12。減小C12的值將成比例地減小串?dāng)_。將導(dǎo)線移動(dòng)得更遠(yuǎn)是減小C12值的一種方法。但是,需要注意的是,僅將導(dǎo)線之間的距離加倍不足以將12減少2倍。當(dāng)導(dǎo)線間距大于導(dǎo)線直徑時(shí),反雙曲余弦函數(shù)的行為類似于對(duì)數(shù)函數(shù)。在這種情況下,將導(dǎo)線之間的距離加倍(從3.0 mm增加到6.0 mm)會(huì)將C12的值從3.6 pF更改為2.2 pF。這將減少串?dāng)_只有約4分貝。


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