英特爾公司近日宣布，將在未來數(shù)年內(nèi)使用2納米技術(shù)制造處理器，這將是其目前10納米和7納米技術(shù)的重大改進(jìn)。英特爾還在研發(fā)1.8納米技術(shù)，這將使其成為全球首家達(dá)到如此先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的公司。這項(xiàng)技術(shù)將成為公司產(chǎn)品和其IFS部門客戶芯片的重要基礎(chǔ)。

與此同時(shí)，三星和TSMC也在大力投資新技術(shù)，例如3納米和5納米，以保持其競爭優(yōu)勢。這三家公司之間的競爭十分激烈，每個(gè)公司都在技術(shù)、性能和效率方面互相競爭。

英特爾的20A制造技術(shù)將基于Gate-All-Around RibbonFET晶體管，并將使用背面供電技術(shù)。技術(shù)節(jié)點(diǎn)是描述和比較集成電路制造技術(shù)的最常用參數(shù)之一。此次英特爾宣布的“2納米”和“20?！倍疾皇切酒膶?shí)際物理特性。在實(shí)際情況下，“2納米”大多用作營銷術(shù)語，是指新一代硅半導(dǎo)體芯片的高晶體管密度。

英特爾正在努力完成這兩項(xiàng)技術(shù)的規(guī)格、材料、要求和性能目標(biāo)。雖然這并不意味著次技術(shù)節(jié)點(diǎn)已經(jīng)準(zhǔn)備好商業(yè)生產(chǎn)，但英特爾計(jì)劃在2024年上半年開始使用這項(xiàng)技術(shù)。英特爾的18A制造過程將進(jìn)一步改進(jìn)公司的RibbonFET和PowerVia（背面供電）技術(shù)，并縮小晶體管的尺寸。目前，英特爾的20A和18A工藝技術(shù)正在為公司的產(chǎn)品和第三方芯片緊鑼密鼓的開發(fā)中。

英特爾的CEO在最近與分析師和投資者的電話會(huì)議上表示：“我們已經(jīng)與排名前十的七個(gè)最重要客戶建立了積極的聯(lián)系，并穩(wěn)定增長以涵蓋其他43個(gè)潛在客戶。此外，我們?cè)谟⑻貭?8A方面取得了進(jìn)展，已經(jīng)與我們的主要客戶共享了PDK 0.5的工程版本，并預(yù)計(jì)在未來幾周內(nèi)發(fā)布最終的生產(chǎn)版本?！?/span>

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