導讀：近日據(jù)TrendForce發(fā)布的一份報告顯示，由于美國對華半導體出口管制，SK海力士已推遲對旗下無錫廠DRAM芯片產(chǎn)線的技術(shù)升級計劃。

圖：SK海力士的晶圓廠

這份報告還稱，SK海力士的長期戰(zhàn)略“涉及將其產(chǎn)能擴張轉(zhuǎn)移回韓國，而無錫工廠則迎合中國國內(nèi)需求和傳統(tǒng)工藝消費DRAM市場”。如果得到證實，意味著韓國芯片制造商（包括三星電子）將重新審視其在華投資和布局。

芯片大師曾報道三星、海力士在華業(yè)績因管制等大幅惡化，無論SK海力士在停止產(chǎn)線升級和遷移產(chǎn)能之間如何選擇，對于中國大陸的半導體業(yè)而言，都是巨大的打擊。

目前，三星和SK海力士都將中國作為最大、最先進的海外制造基地+單一市場，包括封測、代工等在內(nèi)，韓國在華半導體企業(yè)也是外資中投入力度最大、創(chuàng)造效益最多的，這一點毋庸置疑。

圖：SK海力士無錫二廠

在此之前，三星和SK海力士正在升級產(chǎn)線設備，而盡管目前美國政府臨時給韓企在華設備進口設備進口開了“綠燈”，但長期受限制的趨勢已經(jīng)不可避免。

再看國內(nèi)的存儲器行業(yè)，加上另外三家已經(jīng)嚴重受影響的中國本土大型存儲器企業(yè)，芯片大師此前預估的兩個可能的結(jié)果正在成為現(xiàn)實：一是存儲器工藝暫時被“鎖死”，中國大陸將在一段時期內(nèi)失去先進存儲器制造能力，二是部分在華外資企業(yè)的設施將被迫陸續(xù)轉(zhuǎn)移至海外，這是存儲器本身對先進制程的高度依賴決定的。

據(jù)悉，SK海力士計劃將其無錫晶圓廠的主流工藝從1y納米 (nm) 升級到更先進的1z nm，兩者都屬于10納米級。但據(jù)爆料，在美國升級對華半導體出口管制后，SK海力士選擇增加其傳統(tǒng)的21nm生產(chǎn)線的產(chǎn)能。

圖：SK海力士的芯片

分析師認為，SK海力士的風險很高。其無錫工廠是目前江蘇最大的外商投資項目，該工廠對全球電子行業(yè)也至關(guān)重要，因為它負責制造SK海力士大約一半的DRAM芯片產(chǎn)量和全球產(chǎn)量的15%。

“自從近年來存儲芯片行業(yè)過渡到1-α工藝以來，1z-nm工藝……一直是海力士和三星的主力軍”，1-α工藝是指SK海力士用于制造先進DRAM產(chǎn)品的第四代10納米技術(shù)，緊隨前三代工藝：即1x、1y和1z。同時，該工藝首次采用ASML的極紫外 (EUV) 設備用于批量生產(chǎn)。

近期另一個消息是，韓日兩國決定重啟停擺了十余年的政府間科技合作協(xié)商。據(jù)韓國產(chǎn)業(yè)界人士表示，日韓雙方討論的重點是擴大經(jīng)濟合作，以確保芯片等供應鏈安全。

這是否意味著韓國有可能將和美日統(tǒng)一步調(diào)，也將采取類似的對華出口管制措施？