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          40 V耐輻射GaN FET為苛刻的航空航天應(yīng)用設(shè)定新的效能標(biāo)準(zhǔn)

          發(fā)布人:12345zhi 時(shí)間:2023-08-03 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出兩款額定電流為62 A和250 A的新型40 V元件,以擴(kuò)展其用于功率轉(zhuǎn)換解決方案的耐輻射氮化鎵(GaN)產(chǎn)品系列,支持航太和其他高可靠性應(yīng)用。

          EPC宣布推出兩款新型40 V耐輻射GaN FET。EPC7001是一款40 V、4 mΩ、250 APulsed的耐輻射GaN FET,僅占用7 mm2的印刷電路板面積。EPC7002是一款 40 V、14.5 mΩ、62  APulsed的耐輻射GaN FET,僅占用1.87 mm2的印刷電路板面積。

          兩款元件的總劑量輻射額定值均超過(guò) 1,000K Rad(Si),而LET的 SEE抗擾度為 83.7 MeV/mg/cm2,VDS可達(dá)100%額定擊穿值。這些新型元件和其他耐輻射元件系列均采用芯片級(jí)封裝。封裝元件由EPC Space公司提供。

          針對(duì)高可靠性和航空航天應(yīng)用,具備更高效能的EPC的eGaN FET和IC可替代傳統(tǒng)的耐輻射矽元件。EPC的氮化鎵耐輻射元件比矽耐輻射元件明顯更小、電氣效能高出40倍和總體成本更低。此外,與傳統(tǒng)采用矽元件的解決方案相比,采用具備卓越抗輻射能力的EPC耐輻射元件,可支持具有更高的總輻射量和SEE LET水平的應(yīng)用。

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席CEO暨聯(lián)合創(chuàng)始人Alex Lidow表示,耐輻射氮化鎵產(chǎn)品系列提供無(wú)與倫比的效能和可靠性,其顯著的優(yōu)勢(shì)使航空航天系統(tǒng)更高效和更堅(jiān)固,支持在嚴(yán)苛環(huán)境下的廣泛應(yīng)用,例如航太和其他高可靠性軍工應(yīng)用。

          受益于氮化鎵元件的效能和在應(yīng)用中可以快速部署的應(yīng)用包括DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、馬達(dá)控制器、激光雷達(dá)和用于太空的深空探測(cè)和離子推進(jìn)器。氮化鎵元件特別適合用于在近地軌道(LEO)和地球同步軌道(GEO)運(yùn)行的衛(wèi)星和航空電子系統(tǒng)。

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