8月24日消息，英特爾目前在積極投入先進(jìn)制程研發(fā)的同時(shí)，在先進(jìn)封裝領(lǐng)域也是火力全開(kāi)。目前英特爾在馬來(lái)西亞檳城興建最新的封裝廠，以強(qiáng)化其2.5D/3D封裝布局版圖，近日更是提出了2025年時(shí)，旗下最先進(jìn)的3D Foveros封裝產(chǎn)能將較目前大增四倍，并開(kāi)放給外部客戶單獨(dú)采用。

外界預(yù)期，英特爾結(jié)合先進(jìn)制程與先進(jìn)封裝能量后，一體化制造實(shí)力大增，在晶圓代工領(lǐng)域更具競(jìng)爭(zhēng)力，以便可以更好的與臺(tái)積電、三星競(jìng)爭(zhēng)，同時(shí)也或?qū)?duì)日月光、安靠等頭部的半導(dǎo)體封測(cè)廠商帶來(lái)沖擊。

英特爾從2017年開(kāi)始導(dǎo)入EMIB封裝，第一代Foveros封裝則于2019年推出，當(dāng)時(shí)凸點(diǎn)間距為50微米。預(yù)計(jì)今年下半年稍晚推出的最新Meteor Lake處理器，則將利用第二代Foveros封裝技術(shù)，凸點(diǎn)間距進(jìn)一步縮小為36微米。

英特爾并未透露現(xiàn)階段其3D Foveros封裝總產(chǎn)能，僅強(qiáng)調(diào)除了在美國(guó)奧勒岡州與新墨西哥州之外，在未來(lái)的馬來(lái)西亞檳城新廠也有相關(guān)產(chǎn)能建置，這三個(gè)據(jù)點(diǎn)的3D封裝產(chǎn)能合計(jì)將于2025年時(shí)增為目前的四倍。

英特爾副總裁Robin Martin 于8月22日接受采訪時(shí)強(qiáng)調(diào)，未來(lái)檳城新廠將會(huì)成為英特爾最大的3D Foveros先進(jìn)封裝據(jù)點(diǎn)。

英特爾在兩年前宣布投資35億美元擴(kuò)充新墨西哥州的先進(jìn)封裝產(chǎn)能，至今仍進(jìn)行中。至于馬來(lái)西亞檳城新廠，英特爾表示，興建進(jìn)度符合計(jì)劃。根據(jù)預(yù)計(jì)，該新廠可能于2024年稍晚或2025年完工并投入生產(chǎn)。

值得注意的是，除了晶圓代工與一條龍延伸到封裝服務(wù)，英特爾表示，開(kāi)放讓客戶也可以只選用其先進(jìn)封裝方案，目的是希望讓客戶可以更能擁有生產(chǎn)彈性。

英特爾在執(zhí)行長(zhǎng)基辛格帶領(lǐng)下，推行IDM 2.0策略，除了增加自家晶圓廠產(chǎn)能，擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)，同時(shí)也希望彈性利用第三方的晶圓代工產(chǎn)能。

隨著先進(jìn)制程的持續(xù)推進(jìn)，小芯片（Chiplet）與異質(zhì)整合的發(fā)展趨勢(shì)明確。外界認(rèn)為，英特爾的2.5D/3D先進(jìn)封裝布局除了強(qiáng)化自身處理器等產(chǎn)品實(shí)力之外，也是其未來(lái)對(duì)客戶爭(zhēng)取更多晶圓代工服務(wù)生意的一大賣(mài)點(diǎn)。

相比之下，臺(tái)積電、三星都積極布建先進(jìn)封裝技術(shù)。臺(tái)積電方面，主打“3D Fabric”先進(jìn)封裝，包括InFo、CoWoS與SoIC方案；三星也發(fā)展I-cube、X-Cube等封裝技術(shù)。

編輯：芯智訊-林子