英偉達(dá)計(jì)劃從三星采購高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，這是人工智能處理器的關(guān)鍵組件，這家韓國電子巨頭試圖追趕競爭對手SK海力士，后者最近開始大規(guī)模生產(chǎn)下一代HBM芯片。

“HBM 內(nèi)存非常復(fù)雜，附加值非常高。我們在 HBM 上投入了大量資金，”（原文："HBM memory is very complicated and the value added is very high. We are spending a lot of money on HBM,"）Nvidia 聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛周二在加利福尼亞州圣何塞舉行的媒體吹風(fēng)會(huì)上表示。

黃仁勛表示，Nvidia 正在對三星的 HBM 芯片進(jìn)行資格認(rèn)證，并將在未來開始使用它們。

“三星非常好，一家非常好的公司，”黃補(bǔ)充道。

與此同時(shí)，三星在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的最大競爭對手SK海力士周二宣布，已開始量產(chǎn)下一代高帶寬存儲(chǔ)芯片HBM3E。

HBM 已成為人工智能熱潮的重要組成部分，因?yàn)榕c傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片相比，它提供了急需的更快的處理速度。

黃仁勛表示：“HBM 是一個(gè)技術(shù)奇跡。”（HBM is a technology miracle）他補(bǔ)充說，HBM 還可以提高能源效率，并且隨著耗電的人工智能芯片變得更加普遍，可以幫助世界變得更加可持續(xù)。

SK 海力士實(shí)際上是 AI 芯片領(lǐng)導(dǎo)者 Nvidia 的 HBM3 芯片的唯一供應(yīng)商。雖然沒有透露新 HBM3E 的客戶名單，但 SK 海力士高管告訴《日經(jīng)亞洲》，新芯片將首先運(yùn)送給 Nvidia 并用于其最新的 Blackwell GPU。

三星一直在 HBM 上投入巨資，以追趕競爭對手。該公司于2月份宣布開發(fā)出HBM3E 12H，這是業(yè)界首款12堆棧HBM3E DRAM，也是迄今為止容量最高的HBM產(chǎn)品。三星表示，將于今年上半年開始量產(chǎn)該芯片。

黃仁勛在周二的媒體吹風(fēng)會(huì)上對記者表示：“三星和 SK 海力士的升級(jí)周期令人難以置信，一旦 Nvidia 開始增長，他們就會(huì)與我們一起成長?！?/p>

“我非常重視我們與 SK 海力士和三星的合作關(guān)系，”他補(bǔ)充道。

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SK海力士在HBM競爭中領(lǐng)先

繼HBM3取得成功后，SK海力士率先量產(chǎn)第五代HBM、HBM3E DRAM，并將其供應(yīng)給美國半導(dǎo)體公司Nvidia，鞏固了其在高帶寬內(nèi)存（HBM）市場的主導(dǎo)地位。

3月19日，SK海力士宣布將于本月底向客戶Nvidia供應(yīng)最新高性能AI內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E，并為3月起Nvidia舉辦的AI開發(fā)者大會(huì)（GTC 2024）開始量產(chǎn)。這距離SK海力士去年8月宣布開發(fā)HBM3E僅7個(gè)月。

SK海力士表示：“繼HBM3之后，我們率先向客戶提供HBM3E，它實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有DRAM中的最高性能。我們計(jì)劃通過成功量產(chǎn)HBM3E來繼續(xù)我們在AI內(nèi)存市場的競爭優(yōu)勢?！?/p>

此前，美國美光公司于當(dāng)?shù)貢r(shí)間 2 月 26 日宣布，計(jì)劃為 Nvidia 最新 GPU H200 提供 8 個(gè)堆棧的 24 GB HBM3E，該 GPU 預(yù)計(jì)將于今年第二季度（4 月至 6 月）推出，引起了業(yè)界關(guān)注。年。不過，據(jù)悉SK海力士是第一個(gè)量產(chǎn)并實(shí)際交付的。一位業(yè)內(nèi)人士透露，“SK海力士從1月底開始生產(chǎn)HBM3E，并一直在與Nvidia一起測試該產(chǎn)品。美光已于二月底開始生產(chǎn)，但據(jù)了解，他們尚未達(dá)到足以交付的產(chǎn)量?！?業(yè)界對美光HBM3E產(chǎn)品的初始產(chǎn)量和產(chǎn)能存在很大疑問。

三大公司下一代HBM市場的決定性因素被認(rèn)為是良率和堆疊方式。隨著 DRAM 堆疊得越來越高，HBM 厚度也會(huì)增加，從而給熱控制帶來挑戰(zhàn)。堆疊芯片時(shí)施加的物理壓力也會(huì)導(dǎo)致彎曲問題。

為了克服這些挑戰(zhàn)，三星電子和SK海力士采用了不同的堆疊方法。三星電子采用先進(jìn)熱壓非導(dǎo)電薄膜（TC NCF）方法，在DRAM之間插入非導(dǎo)電粘合薄膜來粘合HBM，而SK海力士則采用先進(jìn)大規(guī)?；亓髂Ｋ艿撞刻畛洌∕R-MUF）方法，它在工藝之間注入液體保護(hù)材料并使其硬化。

業(yè)內(nèi)人士表示，“憑借在HBM3方面的技術(shù)優(yōu)勢，SK海力士有望在HBM3E市場上繼續(xù)與Nvidia保持牢固的合作關(guān)系。然而，隨著三星電子推出業(yè)界最大容量的 12 堆棧 HBM3E 作為游戲規(guī)則的改變者，高堆棧 HBM 的競爭預(yù)計(jì)將加劇?！?/p>

隨著AI半導(dǎo)體市場的擴(kuò)大，HBM銷售額占DRAM收入的比例正在迅速增加。市場研究公司TrendForce預(yù)測，HBM銷售額占DRAM總營收的比重將從2022年的2.6%上升至2023年的8.4%，今年將進(jìn)一步升至20.1%。HBM的產(chǎn)能預(yù)計(jì)今年也將大幅增加。去年，三星電子和SK海力士每月生產(chǎn)約45,000片晶圓，但今年，三星電子的產(chǎn)量預(yù)計(jì)將增至130,000片，SK海力士的產(chǎn)量將增至120,000至125,000片。美光在 HBM 市場排名第三，預(yù)計(jì)去年每月生產(chǎn) 3,000 片晶圓，今年每月生產(chǎn) 20,000 片晶圓。