刻蝕是移除晶圓表面材料，使其達到集成電路設計要求的一種工藝過程，硅電極是該環(huán)節(jié)的核心耗材。目前芯片制造中廣泛使用干法刻蝕工藝，利用顯影后的光刻膠圖形作為掩模，在襯底上腐蝕掉一定深度的薄膜物質，隨后得到與光刻膠圖形相同的集成電路圖形。刻蝕設備的工作原理是將硅片置入硅環(huán)，合體作為正極置于刻蝕設備腔體的下方，處于腔體上方帶有密集微小通孔的硅盤作為負極，附加合適的電壓，加上酸性的等離子刻蝕氣體，在高溫腔體內按前序工藝光刻機刻出的電路結構在硅片上進行微觀雕刻，使硅片表面按設計線寬和深度進行腐蝕，形成微小集成電路?？涛g過程中硅電極會被逐漸腐蝕并變薄，其厚度縮減到一定程度后，需用新電極替換以保證刻蝕均勻性。隨先進制程的不斷突破，刻蝕次數顯著增加。在摩爾定律推動下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，制造工序復雜度顯著增加。據 SEMI，20nm 工藝需約 1000 道工序，而 10nm 和 7nm 工藝所需工序已超 1400 道。隨線寬向 10、7、5nm 升級，光刻機精度受波長限制，需采用多重模板工藝，多次薄膜沉積和刻蝕以實現更小線寬，使得刻蝕次數顯著增加，20nm 工藝需刻蝕 50 次左右，而10nm 工藝超 100次，5nm 工藝超 150 次。存儲芯片多層堆疊技術進步，刻蝕技術難度、次數均有所提升。2D結構存儲芯片通過在平面上對晶體管尺寸進行微縮，以獲得更高的存儲密度而當前 2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND、DRAM內存芯片已進入 3D 時代。3D 結構中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數，成功解決 2D 結構增加容量的同時性能降低的問題，實現容量、速度、能效及可靠性等全方位提升。隨層數的增加，芯片加工步驟也同比增加，帶動上游刻蝕設備及對應耗材的需求。

3D 結構通過堆疊層數的增加來提升集成度

刻蝕設備市場份額情況

來源：先進半導體材料

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