當?shù)貢r間5月21日美股盤前，美國存儲芯片大廠美光（Micron）財務長Matt Murphy在摩根大通全球科技、媒體和傳播大會上表示，2024年資本支出預測將達約80億美元，高于此前預計的75億美元，主要是為了投資高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)量。
美光首席運營官Manish Bhatia表示，HBM業(yè)務規(guī)模將在2025會計年度增長至數(shù)十億美元。同時，美光2025年HBM內(nèi)存供應談判基本上已經(jīng)都完成。其已與下游客戶基本敲定了2025年HBM訂單的規(guī)模和價格。

美光預測，在未來數(shù)年間其HBM的位元產(chǎn)能的復合年成長率將達到50%。而為了應對HBM的強勁市場需求，美光基本上調(diào)升了2024財年的資本支出金額，預計從75~80億美元（約臺幣2,395億元~2,550億元），提升到80億美元。

至于，在HBM技術發(fā)展上，美光于本季先前時候就開始提供12層堆疊的HBM3E內(nèi)存樣品。這12層堆疊的HBM產(chǎn)品，為容量提升50%的新品，預計將成為美光2025年業(yè)績的重要來源。而在非HBM領域，美光認為AI PC的推出，將對標準內(nèi)存的需求成長達40~80%，而LPDDR內(nèi)存未來將在數(shù)據(jù)中心市場占有更大比例。

整體來看，美光預測DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)長期成長率將維持在15%上下，NAND Flash產(chǎn)業(yè)的長期成長率則略高于20%。

值得注意的是，美光高層并未對3-5月當季或6-8月財測多做評論。隨著本季末將至，市場相信，這代表3-5月季度業(yè)績表現(xiàn)符合預期，但并未顯著上修。

美光重申，6-8月毛利率將介于30~33%左右。高層預測，HBM業(yè)務近期的年復合增長率有望多達50%，從8層堆疊升級到12層堆疊的HBM，有望推升2025年度營收。

編輯：芯智訊-林子