5月24日消息，隨著人工智能芯片需求大漲，配套的高帶寬內(nèi)存（HBM）也是供不應(yīng)求。據(jù)《日經(jīng)亞洲》報導(dǎo)，SK集團（SK Group）董事長兼執(zhí)行長崔泰源（Chey Tae-won）23日在東京舉行的“Future of Asia”論壇上接受采訪時表示，若有海外投資必要，會考慮在日本及美國建晶圓廠。

崔泰源還表示，SK集團會進(jìn)一步強化與日本半導(dǎo)體制造造設(shè)備廠商、半導(dǎo)體材料供應(yīng)商的合作關(guān)系，并考慮加碼投資日本。他說，在先進(jìn)半導(dǎo)體制造方面，跟日本供應(yīng)商合作至關(guān)重要。

對于選擇何地作為新的芯片制造基地時，崔泰源強調(diào)重點在于能否取得干凈能源，因為客戶對降低供應(yīng)鏈溫室效應(yīng)氣體排放量的要求極嚴(yán)。

SK海力士高管Kwon Jae-soon曾于5月21日接受英國《金融時報》采訪時指出，SK海力士HBM3E良率快達(dá)80%目標(biāo)，投產(chǎn)所需時間也縮短了50%。Kwon強調(diào)，今年目標(biāo)是生產(chǎn)八層堆疊的HBM3E，因為這是客戶最需要的。為了在AI時代保持領(lǐng)先，提升良率越來越重要。

目前，SK海力士2025年的HBM產(chǎn)能幾乎訂購一空。明年SK海力士計劃與臺積電合作，量產(chǎn)更先進(jìn)HBM4芯片。

編輯：芯智訊-林子