7月20日消息，據(jù)Tomshardware報(bào)道，中國(guó)3D NAND Flash大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）近日在美國(guó)加利福尼亞州北部地區(qū)再度對(duì)美光提起訴訟，指控這家美國(guó)公司侵犯了其11項(xiàng)專利，涉及3D NAND Flash及DRAM產(chǎn)品。長(zhǎng)江存儲(chǔ)要求法院勒令美光停止在美國(guó)銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)器產(chǎn)品，同時(shí)支付專利使用費(fèi)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控稱，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM產(chǎn)品（Y2BM系列）侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)提交的11項(xiàng)專利或?qū)＠暾?qǐng)。

值得一提的是，2023年11月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美光及其子公司美光消費(fèi)類產(chǎn)品事業(yè)部提起訴訟，指控它們侵犯了其8項(xiàng)與3D NAND Flash相關(guān)的美國(guó)專利。

以下是訴訟中引用的八項(xiàng)專利：

US10950623：3D NAND存儲(chǔ)器件及其形成方法

US11501822：非易失性存儲(chǔ)器件及控制方法

US10658378：三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸（TAC）

US10937806：三維存儲(chǔ)器件的直通陣列接觸（TAC）

US10861872：三維存儲(chǔ)裝置及其形成方法

US11468957：NAND存儲(chǔ)器操作的架構(gòu)和方法

US11600342：三維存儲(chǔ)設(shè)備的讀取時(shí)間

US10868031：多堆疊三維存儲(chǔ)器件及其制造方法

今年6月7日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)由在美國(guó)加利福尼亞州北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓（Roslyn Layton）散布虛假信息，破壞長(zhǎng)江存儲(chǔ)的市場(chǎng)聲譽(yù)和商業(yè)關(guān)系。

顯然，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正試圖通過專利來打擊美光，以獲得對(duì)抗美國(guó)打壓的籌碼。

美國(guó)商務(wù)部于2022年底將長(zhǎng)江存儲(chǔ)列入了實(shí)體清單，這使得該公司無法從美國(guó)公司獲得先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備來制造領(lǐng)先的128層及以上的3D NAND Flash器件。

盡管受到美國(guó)政府的嚴(yán)格限制，長(zhǎng)江存儲(chǔ)仍繼續(xù)努力通過原有的設(shè)備及國(guó)產(chǎn)設(shè)備來幫助其發(fā)展其3D NAND Flash。該公司的Xtacking 3.0產(chǎn)品依然在奮力的維持生產(chǎn)，并正在開發(fā)新一代的Xtacking 4.0架構(gòu)的3D NAND Flash。今年早些時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還宣布，它已經(jīng)設(shè)法將3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平（達(dá)到4000個(gè)編程/擦除周期），這大大改善了廉價(jià)SSD的特性。

編輯：芯智訊-浪客劍